单正平
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- ZnO基薄膜生长与器件工艺及紫外探测器的研究
- 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。同时,ZnO通过与Mg...
- 单正平
- 关键词：薄膜生长紫外探测器光电性质
- Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 以MOCVD系统生长Zn_(1-x)Mg-xO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn_(1-x)Mg_xO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31 eV覆盖到5.02 e...
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：MOCVDZNMGO紫外探测器
- 文献传递
- N掺杂ZnO薄膜的接触特性被引量：1
- 2008年
- 氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、紫外探测器件和短波长激子型激光器等方面具有广阔的应用前景。而要实现大功率的光电器件,稳定可靠的欧姆接触是必需的。研究了氮气氛条件下,不同温度快速退火对氮掺杂ZnO样品的电学性质以及Ni/Au与其接触特性的影响。原生样品表现为弱的肖特基接触,适当温度退火后,由肖特基转成了欧姆接触,650℃退火后得到最小比接触电阻率8×10-4Ω·cm2。霍尔测量表明550℃快速退火后,样品的导电类型由p型转变成了n型。采用AES和GXRD分别研究了不同退火温度下Au、Ni、Zn、O的深度分布变化及退火后所生成的合金相。实验结果表明,退火所导致的薄膜电学性质的变化以及界面态和表面态的增加是接触特性变化的原因。
- 单正平顾书林朱顺明刘伟刘少波刘雪冬汤琨张荣郑有炓
- 关键词：NI/AU快速退火欧姆接触
- Zn1-zMgzO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1...
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：紫外探测器合金薄膜金属有机物化学气相沉积
- 文献传递
- Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 2008年
- 以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/ZnO基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响应度1.9×10-4A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比可见光450nm处的响应度高出两个数量级。
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：MOCVDZNMGO紫外探测器
- MOCVD生长中载气H_2对N掺杂ZnO性质的影响被引量：7
- 2008年
- 采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。
- 刘雪冬顾书林李峰朱顺明刘伟叶建东单正平刘少波汤琨朱光耀张荣郑有炓
- 关键词：氧化锌载气离化
