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卜建辉

作品数：214 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 202篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 52篇电子电信
  • 30篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 4篇医药卫生
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 61篇电路
  • 35篇集成电路
  • 33篇建模方法
  • 28篇SOI
  • 26篇半导体
  • 21篇晶体管
  • 21篇半导体器件
  • 20篇模型参数
  • 19篇MOS器件
  • 18篇单粒子
  • 16篇沟道
  • 15篇电阻
  • 13篇阈值电压
  • 12篇单粒子翻转
  • 11篇电容
  • 11篇热阻
  • 11篇仿真
  • 10篇SOI_MO...
  • 9篇电压
  • 9篇载流子

机构

  • 214篇中国科学院微...
  • 6篇中国科学院
  • 5篇中国科学院大...
  • 1篇西安航空计算...

作者

  • 214篇卜建辉
  • 159篇罗家俊
  • 152篇韩郑生
  • 89篇刘海南
  • 65篇赵发展
  • 44篇蔡小五
  • 39篇李博
  • 35篇曾传滨
  • 32篇闫珍珍
  • 29篇毕津顺
  • 28篇李多力
  • 28篇赵海涛
  • 27篇王成成
  • 22篇陆江
  • 20篇高立博
  • 16篇宿晓慧
  • 14篇刘梦新
  • 9篇李莹
  • 9篇王磊
  • 7篇倪涛

传媒

  • 5篇微电子学
  • 3篇半导体技术
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇航空科学技术

年份

  • 6篇2025
  • 16篇2024
  • 17篇2023
  • 27篇2022
  • 29篇2021
  • 21篇2020
  • 24篇2019
  • 21篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 10篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 6篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
共 214 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电流检测电路及方法
本发明提供一种电流检测电路及方法，包括：功率管提供当前负载电流；检测管输出检测电流；第一电阻将检测电流转换成初始检测电压；电压放大器输出当前放大检测电压；电压比较器在映射表中查找当前放大检测电压所属的目标放大电压检测范围...
韩添赵发展蔡小五卜建辉单梁
文献传递
一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置
本发明公开了一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置，其中方法包括：构建基于nano模型的碳纳米管场效应晶体管的描述模型；描述模型为解析模型，描述模型包括带带隧穿电流模型，带带隧穿电流模型中设置有修正端口电压的基准电压，基...
卜建辉刘艺璇杨晨刘海南赵发展李博
一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
本发明提供了一种闪烁噪声的测试方法，包括以下步骤：测试待测器件的输出特性；将器件的漏极连接到低噪声电流放大器的输入端；将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为直流模式；打开低噪声电流放大器的电压源，为漏端提供偏置；...
李书振卜建辉毕津顺曾传滨罗家俊韩郑生
文献传递
一种热阻获取方法
本发明属于半导体可靠性技术领域，公开了一种热阻获取方法，包括：在MOS器件所在的硅膜上制作有源区扩散电阻；获取所述电阻的电阻温度特性；获取所述MOS器件工作时的电阻的阻值；依据所述电阻温度特性,得到所述电阻的温度；获取所...
卜建辉李彬鸿罗家俊韩郑生
一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置
本发明涉及晶体管噪声处理技术领域，具体涉及一种噪声等效计算方法、背偏产生电路的设计方法和装置。该方法包括：利用噪声电流源和噪声电压源，模拟产生MOS器件的噪声；等效计算MOS器件的漏极电阻热噪声和MOS器件的沟道热噪声；...
周润发李博宿晓慧任洪宇郑中山卜建辉赵发展
一种半导体器件建模方法及装置
本发明公开了一种半导体器件建模方法及装置，其中方法包括：基于BSIMSOI模型在器件模型漏端增加压控电阻，获得子电路模型；然后，基于子电路模型，提取子电路模型的模型参数。本发明通过在BSIMSOI模型的基础上进行改进，添...
李垌帅卜建辉王成成刘海南赵发展罗家俊韩郑生
一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置
本发明涉及剂量率建模技术领域，具体涉及一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置。该方法包括：建立MOS器件的剂量率模型；根据所述MOS器件的沟道长度，设置所述MOS器件的漏端光电流。本发明在经过对现有的MOS器件剂量率模...
高立博卜建辉高见头赵发展曾传滨罗家俊韩郑生
文献传递
一种时序特性获取方法、装置及电子设备
本发明实施例涉及数据处理技术领域，具体而言，涉及一种时序特性获取方法、装置及电子设备，该方法首先根据测试数据生成特征曲线，其次根据特征曲线获取梯度曲线，然后根据梯度曲线查找出位于设定梯度范围内的至少一个梯度值对应的横坐标...
许婷闫珍珍郭燕萍卜建辉刘海南罗家俊韩郑生
一种SRAM芯片安全性能的测试方法
本发明涉及一种SRAM芯片安全性能的测试方法，属于芯片检测技术领域，解决了现有技术评估变量过于单一、无法准确衡量老化压印的问题。该方法包括步骤：对多个待测SRAM芯片上电，并对其存储阵列的背栅电压进行初始化，获得每一SR...
李博苏泽鑫宿晓慧王磊卜建辉赵发展韩郑生
一种绝缘栅双极晶体管
本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：N+发射极，Pwell区域，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区；载流子存储层；P注入层；无圆胞区域，所述无圆胞区域中设置有局部栅极变窄偏...
陆江刘海南蔡小五卜建辉罗家俊
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