向旺
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- SiGe HBT及其单片集成电路：低噪声放大器(LNA)的研究
- 随着无线通信、蓝牙技术、雷达及空间技术的发展，对其射频电路部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻，低噪声放大器（LNA）是整个射频电路部分不可或缺的，它的性能指标直接影响到整个电路、系统的性能指标。全球对新型异质结器件的...
- 向旺
- 关键词：单片集成电路低噪声放大器版图设计
- 三级微波宽带低噪声放大器的设计
- 2007年
- 介绍了SiGe异质结晶体管的特点和微波宽带低噪声放大器的设计理论；设计了一个采用SiGe异质结晶体管2sc5761的两级微波宽带低噪声放大器电路，并对电路的各项指标进行了优化设计；运用candence软件对电路进行了DRC，LVS验证。在0．5～6GHz得到12dB以上的增益和不足2．5dB的噪声系数，及优良的线性度。
- 赵翔张庆中向旺
- 关键词：异质结晶体管微波宽带低噪声放大器
- SiGe HBT及其在射频LNA中的应用被引量：2
- 2006年
- 随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGeHBTLNA就是其中之一。基于Si的制造工艺,SiGeHBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMOS电路集成到一起,并且经过不断地研究,SiGeHBT已经在技术指标上得到了突飞猛进的发展,达到了未成预料到的结果,使其对GaAs、InP等器件提出了巨大挑战,这些优点都使得它成为主流工艺,为射频不可或缺的一部分。在本文中详细地讨论了SiGeHBTLNA的基本工作原理,以及其直流特性、交流特性、噪声特性等。并讨论了SOI衬底上的SiGeHBTLNA的应用和BiCMOS工艺上SiGeHBTLNA的应用。
- 向旺张庆中张华斌陈庆华赵翔
- 关键词：HBTSOI工艺BICMOS工艺
