尚再艳
- 作品数：12 被引量：87H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划北京市科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信冶金工程更多>>
- 高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术
- 高纯Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料.本文阐述了高纯贵金属靶材的应用。阐述了高纯...
- 何金江陈明朱晓光罗俊锋尚再艳贺昕熊晓东
- 关键词：半导体
- 文献传递
- 集成电路制造用溅射靶材被引量：49
- 2005年
- 溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业。在不同产业中,半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高。对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法。
- 尚再艳江轩李勇军杨永刚
- 关键词：集成电路溅射靶材半导体
- 钴再结晶退火的研究被引量：3
- 2013年
- 在较大热轧变形量的情况下,研究了工业纯钴在两种不同退火冷却方式下,不同退火温度的金相组织和硬度,同时对样品进行了XRD分析。结果发现,冷却方式对显微硬度有异常影响,确定了工业纯钴的再结晶温度,也对空冷情况下显微硬度异常变化的原因进行了分析。
- 范亮尚再艳黄志勇李勇军何金江
- 关键词：钴退火工艺再结晶温度显微硬度
- 无损检测在溅射靶材制造中的应用被引量：1
- 2012年
- 作为关键原材料之一,电子信息产业对溅射靶材质量要求非常严格。无损检测对于确保溅射靶材质量具有重要意义。溅射靶材生产过程中应用的无损检测技术主要是X射线技术和超声波技术。无损检测工序的安排需要合理并兼顾生产效率。检测项目主要是原材料与靶材板坯内部缺陷检验和焊接质量检验。应用的超声检测技术主要是超声纵波脉冲反射C扫描技术,而且靶材制造的检验验收标准极为严格。
- 刘红宾刘伟陈明尚再艳高岩何金江王欣平吕保国江轩
- 关键词：电子信息溅射靶材无损检测超声波检验
- 集成电路制造用溅射靶材
- 本文对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法.
- 尚再艳江轩李勇军杨永刚
- 关键词：集成电路溅射靶材半导体材料
- 文献传递
- 镍的电子束熔炼提纯研究被引量：10
- 2013年
- 高纯镍是制造半导体集成电路及微电子行业用电子薄膜材料的原材料。采用电子束熔炼方法制备高纯镍,研究了一次和二次电子束熔炼对高纯镍锭纯度、表面质量和内部铸造缺陷的影响。通过对铸锭宏观形貌的观察和杂质含量的化学分析,发现一次熔炼可将原材料提纯至99.99%,但铸锭仍存在较多宏观铸造缺陷;而二次熔炼充分去除了杂质和气体元素,如Al,Fe,Cu和C,N,O等,最终使镍锭纯度提高至99.995%以上且内部连续一致无集中缩孔、疏松和气孔等缺陷。通过对镍电子束熔炼过程中杂质元素和基体镍的蒸气压的理论计算对比,和对杂质去除率的理论计算,说明了杂质从镍基体分离的方式并验证了化学成分检测的杂质实际去除率。
- 尚再艳张涛陈明朱晓光刘红宾何金江
- 关键词：电子束熔炼提纯
- 高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术被引量：25
- 2013年
- 高纯Au、Ag、Pt、Ru贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备(金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等)以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点,以实现贵金属靶材产品的高效增值。
- 何金江陈明朱晓光罗俊锋尚再艳贺昕熊晓东
- 关键词：半导体溅射靶材高纯铂钌
- 热处理对99.999 5%高纯Al-Si合金第二相的影响被引量：4
- 2008年
- 通过光学显微镜、偏振光、扫描电镜观察,硬度测试及第二相体积分数的计算,研究高纯Al-Si合金在均匀化、再结晶退火过程中第二相分布和形态的变化,以及第二相对材料显微组织和性能的影响。结果表明,铸锭经530℃×7h均匀化处理后,枝晶偏析基本消除,析出相均匀、细小,已发生明显粒化,体积分数为0.22%。铸锭进行多次反复冷锻和中间退火后,经变形量约70%的冷轧处理,合金再结晶温度为300℃,平均晶粒尺寸55μm;退火温度高于420℃时,随温度的升高,第二相的固溶度增大,晶界的钉扎减弱,晶粒长大;强塑性变形对共晶Si相的破碎效果不显著,而均匀化处理应是其细化的主要手段。
- 杨亚卓尚再艳孙秀霖何金江王欣平
- 关键词：均匀化再结晶退火显微组织
- 超高纯AlSi1铸锭反偏析研究
- 2013年
- 通过实验研究了AlSi1铸锭反偏析现象。采用真空感应炉熔炼、石墨模铸造获得高纯AlSi1合金铸锭。利用电感耦合等离子体发射光谱仪分析铸锭中Si成分分布,采用间隙气体分析法分析铸锭气体含量,使用光学显微镜观察了铸锭金相组织。研究发现,铸锭含气量非常低的情况下,铸锭底部、中部和顶部的截面圆内都存在着明显的反偏析,铸锭中部心部区域的Si含量最低。铸锭的边部为尺寸较小的柱状晶,中部为粗大的柱状晶,细小Si析出相弥散分布,心部为等轴晶,Si析出相主要聚集在晶界附近,呈棒状,且尺寸明显长大。AlSi1熔体凝固时,先析出相Si的不断形核与长大消耗大量的Si,使得后凝固熔体贫Si,从而导致了铸锭的反偏析缺陷。
- 尚再艳刘红宾陈明杨宇辉
- 热处理工艺对CuNiMnFe合金性能的影响被引量：2
- 2009年
- 使用真空感应熔炼制备CuNiMnFe合金,对合金均匀化前后的微观组织进行分析,并研究了淬火工艺、时效工艺对合金性能的影响。结果表明:CuNiMnFe合金进行800℃,8 h的均匀化处理后,合金成分分布均匀;合金采用热锻及时效热处理工艺即可达到强化效果,经440℃,44 h时效处理后,室温抗拉强度≥1240 MPa,硬度≥370 HV,400℃时抗拉强度≥990 MPa。
- 尚再艳王欣平杨永刚杨亚卓
- 关键词：热锻时效热处理
