尹英哲
- 作品数：13 被引量：27H指数：3
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- Pt-WO3薄膜气敏传感器的气敏性能研究被引量：2
- 2008年
- 用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜，进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析，研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响。实验证明：当Pt膜厚为4nm时，WO3薄膜对气体的敏感特性得到改善，对φ（NO2）=5×10^-6和φ（NH3）=10×10^-6的工作温度均降低了50℃，灵敏度分别达到11．5和900，是纯WO3薄膜的2～3倍，且响应时间缩短。
- 李昌青胡明尹英哲马晋毅冯有才陈鹏
- 关键词：直流反应磁控溅射灵敏度
- 磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究
- 采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的 AlO基片上制备 WO薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用 SEM 观察薄膜表面形貌;通过 XRD 测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理,当...
- 胡明冯有才尹英哲陈鹏
- 关键词：磁控溅射WO3氢敏传感器
- 文献传递
- 磁控溅射法制备WO_3薄膜及其氢敏特性研究被引量：1
- 2007年
- 采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法。经过400℃热处理,当工作温度在270℃时,对体积分数为3×10-4%H2的灵敏度达到了77,稳定性较高、选择性好、响应时间在15s以内。WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料,在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用。
- 胡明冯有才尹英哲陈鹏
- 关键词：磁控溅射WO3氢敏传感器
- 对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法
- 本发明公开了一种对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法，属于气敏传感器技术。其制备过程包括：对单晶硅片依次在浓硫酸、去离子水、丙酮、乙醇中清洗；对Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基片依次在丙...
- 胡明冯有才尹英哲张之圣刘志刚
- 文献传递
- 直流反应磁控溅射WO_3薄膜气敏特性研究被引量：8
- 2007年
- 用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50nm,结果表明:在未抛光的三氧化二铝基片上沉积厚度为40nm的WO3薄膜,经过400℃退火,在体积分数为5×10-5NH3中的灵敏度达到300,而且气体选择性好,响应-恢复时间短,可以作为理想的氨敏元件.
- 尹英哲胡明冯有才陈鹏
- 关键词：WO3薄膜直流反应磁控溅射
- 对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法
- 本发明公开了一种对向靶磁控溅射制备三氧化钨薄膜气敏传感器的方法，属于气敏传感器技术。其制备过程包括：对单晶硅片依次在浓硫酸、去离子水、丙酮、乙醇中清洗；对Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基片依次在丙...
- 胡明冯有才尹英哲张之圣刘志刚
- 文献传递
- 三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法
- 本发明公开了一种三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法，属于气敏传感器技术。其制备过程包括：对Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基片进行清洗；在磁控溅射设备中，采用铂为靶材，在氩气为工作气体，在基片上溅...
- 胡明尹英哲冯有才陈鹏张伟张绪瑞刘志刚
- 文献传递
- 三氧化钨纳米薄膜制备与气敏性能的研究被引量：4
- 2007年
- 讨论一种对二氧化氮具有高灵敏性的WO3纳米薄膜的制备方法.当基片温度为室温,溅射混合气体(O2/Ar)的比例为1:1时,用直流反应磁控溅射法制备的薄膜,经过两步热处理(300℃/600℃),得到纳米结构WO3气敏元件.通过XRD、XPS和SEM对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,用静态配气法测试NO2气敏特性.在Si3N4基片上制备的这种薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-5～3×10-5)具有优异的敏感特性和响应特性,最佳工作温度为150℃,在此温度下对其他一些气体(如CO,C2H5OH,NH3)的敏感性很差,显示出良好的选择性.
- 尹英哲胡明冯有才陈鹏
- 关键词：灵敏度直流反应磁控溅射
- WO_3气敏薄膜的膜厚对气体响应时间的影响被引量：3
- 2007年
- 用简单的模型分析了薄膜气体传感器敏感材料的膜厚对气体响应时间的影响,该模型适用于分析WO3薄膜气体传感器的敏感特性。薄膜气体传感器的敏感特性依赖于气体原子在薄膜内的扩散和与气敏材料的响应;而气体原子在薄膜内的扩散是由薄膜厚度决定的。经过推导得出理论上WO3薄膜对NH3的敏感特性,并将其与实验所得的数据进行比较。最后,给出了WO3薄膜气体传感器的气敏特性与气体在其膜内扩散和膜厚的关系。
- 尹英哲胡明冯有才
- 关键词：WO3薄膜气体传感器
- 三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法
- 本发明公开了一种三氧化钨薄膜气敏传感器的表面改性方法，属于气敏传感器技术。其制备过程包括：对Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基片进行清洗；在磁控溅射设备中，采用铂为靶材，在氩气为工作气体，在基片上溅...
- 胡明尹英哲冯有才陈鹏张伟张绪瑞刘志刚
- 文献传递
