张念波
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 纳米Si 粒子B/P 掺杂的计算机分子模拟
- 第一性原理对1.6nm 的Si 粒子在0 K 时B/P 不同掺杂位置和不同掺杂量进行模拟,并对能带、电子状态密度图以及体系能量进行分析.发现B/P 掺杂时掺杂原子都主要集中于粒子表面,不同的掺杂位置会在禁带中引入不同的能...
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- 关键词：纳米硅
- PECVD法硅纳米晶体的制备及在线表面改性被引量：2
- 2014年
- 通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备粒径大小可以控制的硅纳米晶体,并对制备的纳米晶硅进行了在线表面改性.实验结果表明:成功获得了表面经烃基改性的不同粒径的纳米晶硅.相较于没有改性的纳米晶硅,它具有良好的抗氧化性和抗团簇能力,在有机溶剂中有着很好的分散性.
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- 关键词：PECVD表面改性
- PECVD制备的纳米晶硅及其结构与表征
- 射频等离子体化学气相沉积(PECVD)技术制备纳米晶硅.用氩稀释硅烷(5％)作为气源,研究了射频功率、SiH4分压、反应气中氢含量对所制备的硅烷结构、性质的影响.XRD、TEM、IR的表征结果表明:功率不高于40W,制备...
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- 关键词：结构特征产品质量
- 纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。
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- 关键词：掺杂表面改性
