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朱亚滨: 作品数：27 被引量：27H指数：4; 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国工程院咨询项目更多>>; 相关领域：理学化学工程核科学技术电气工程更多>>

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250keV He^+离子注入钽酸锂改性研究: 2013年; 室温下,将能量为250 keV He+离子注入z切钽酸锂单晶,注量范围为5.0×1014～5.0×1016He+/cm2,应用三维轮廓仪、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光学吸收谱对未注入和注入样品进行了表征和分析。分析结果表明,在注量达到5.0×1016He+/cm2时,样品表面出现大量凸起条纹,同时晶格沿着[001]方向出现明显肿胀,吸收边则表现出明显的注量相关性。注入样品在空气中放置60 d后,最高注量的样品表面原来凸起的条纹变为细长的裂纹,晶格应变及光学吸收边均出现较大的恢复。讨论了样品表面形貌、晶格应变和光学吸收边与He行为的关系。; 庞立龙王志光姚存峰崔明焕孙建荣申铁龙魏孔芳朱亚滨盛彦斌李远飞李锦钰; 关键词：钽酸锂表面形貌 X射线衍射

基于HIRFL的高温应力材料载能离子辐照实验装置: 2013年; 针对未来先进核能装置候选结构材料在高温和应力等条件下抗辐照性能的评价与快速筛选的需求,基于兰州重离子研究装置(HIRFL)可提供的离子束流条件,设计制作了国内第一套高温应力材料载能离子辐照装置。该装置由束流扫描及探测系统、高温系统、应力系统、真空冷却系统和远程控制系统等5部分组成,可以同时提供高温和拉/压应力下材料的离子束均匀辐照条件,温区覆盖了室温至1200°C范围,拉/压应力范围为0～1176 N,x-y方向均匀扫描面积可大于40 mm×40 mm。利用该装置,已经成功进行了多次高温和应力条件下载能离子辐照先进核能装置候选材料的实验研究,并取得了初步成果。; 申铁龙王志光姚存峰孙建荣盛彦斌魏孔芳李炳生朱亚滨庞立龙崔明焕李远飞; 关键词：辐照装置高温应力

高能重离子辐照引起的RAFM钢显微硬度变化研究: 先进核能装置如快中子堆、未来聚变堆和裂变/聚变混合堆内'极端恶劣'环境(强辐射、高温、氚渗透、随时间变化的热和机械负载、强腐蚀等)以及长时效(>30年)会导致结构材料的恶化,如辐照肿胀、蠕变、硬化与脆化、应力腐蚀/侵蚀以...; 申铁龙朱亚滨王志光姚存峰孙建荣臧航魏孔芳缑洁马艺准庞立龙

一种大面积13C同位素靶的制备方法: 本发明公开了一种大面积13C同位素靶的制备方法。采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上，得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材；将热压成型的...; 卢子伟刘凤琼朱亚滨张宏斌李海霞李荣华王秀华陈翠红李占奎

电子辐照改性聚合物电解质的制备及其在染料敏化太阳电池中的应用: 本发明提供了一种电子辐照改性聚合物电解质的制备及其在染料敏化纳米晶太阳电池上应用，属于太阳能电池技术领域和电子加速技术领。本发明以环氧乙烷与聚丙烯腈为原料，以碘和碘化钾的混合物为氧化还原电对，加入到乙腈与二甲基甲酰胺的混...; 马艺准王志光朱亚滨庞立龙申铁龙缑洁; 文献传递

金属多层膜的重离子辐照效应研究: 反应堆材料长期工作于苛刻的环境中,结构材料焊接界面处原子扩散引起的成分偏析和相变等,可使材料的化学稳定性降低,严重影响反应堆的运行安全。重离子辐照与中子辐照对材料结构和性能影响的相关性决定了利用重离子辐照模拟中子辐照的方...; 魏孔芳朱亚滨王志光臧航卢子伟姚存峰盛彦斌马艺准申铁龙庞立龙

SiC含量对ZTA和ATZ复相陶瓷力学及热学性能的影响被引量：4: 2019年; 以α-Al_2O_3、ZrO_2和β-SiC粉体为原料,通过放电等离子烧结(SPS)制备了氧化物/碳化物复相陶瓷材料,研究了SiC掺杂对氧化锆增韧氧化铝(ZTA)和氧化铝增强氧化锆(ATZ)基两种复相陶瓷微观结构以及力学、热学性能的影响。XRD衍射谱显示样品中成分为α-Al_2O_3、ZrO_2和β-SiC,无其他杂质相存在。随着SiC含量的增加,ZTA-SiC复相陶瓷的断裂韧性先增大至7.6 MPa·m^(1/2)后下降为6.6 MPa·m^(1/2),而ATZ-SiC复相陶瓷的断裂韧性未发生明显变化,恒定为约11 MPa·m^(1/2)。SEM图像显示韧性较大的复合陶瓷中的穿晶断裂作用机制明显。相同温度下,复相陶瓷的热导率随SiC添加量的增加而增加,当温度为1200℃时,ZTA-SiC和ATZ-SiC复相陶瓷的热导率随SiC含量的增加分别由4.31 W/m·K增加至5.50 W/m·K,5.39 W/m·K增加至8.10 W/m·K。; 柴建龙郭亚威朱亚滨李淑芬申铁龙姚存峰崔明焕王志光; 关键词：断裂韧性热导率

离子辐照对硅薄膜晶化率和光学带隙的影响: 采用化学气相沉积法(CVD)制备了非晶硅(a-Si)、纳晶硅(nc-Si)和氢化纳晶硅(nc-Si:H)薄膜。室温下,用94MeV的Xe离子辐照非晶硅和纳晶硅薄膜及单晶硅样品,以探讨辐照对; 朱亚滨盛彦斌王志光孙建荣姚存峰魏孔芳缑洁马艺准申铁龙庞立龙; 关键词：硅薄膜离子辐照晶化率光学带隙

SIMP钢中H对He热解吸行为的影响研究: 2020年; 为了初步理解核用结构材料中H对He行为的影响,以He离子单独辐照和He和H离子连续辐照作为对比,利用热释放谱(TDS)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了SIMP中H对He的热解吸和滞留行为的影响。TDS结果表明:He释放的主峰主要出现在1198~1222 K之间,对应于气泡的迁移释放机制。相对于He单独辐照,H的附加辐照使得He的释放峰向低温移动,且释放量增大。即H促进了He的热解吸。另外,H对He热解吸的促进作用与H的辐照剂量有关。当H注入的峰值浓度(原子分数)从5%增加到50%时,这种促进作用有所减弱。结合TEM和SEM结果发现:H的存在促进了TDS加热过程中材料表面的起泡行为,从而加速了He以气泡迁移机制释放的过程。; 金鹏申铁龙申铁龙朱亚滨崔明焕朱亚滨魏孔芳崔明焕王鹏庞立龙康龙魏孔芳李锦玉盛彦斌; 关键词：热解吸气泡