李甲林
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 多重气固反应制备一维SiC纳米线被引量：1
- 2008年
- 以硅片、石墨和SiO2粉末为原料,通过多重气固反应成功地制备出一维SiC纳米线.X射线衍射仪分析表明生成产物为立方结构的β-SiC.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）观察,该一维SiC纳米线的直径为30~50nm,长度可达几十甚至上百微米,为沿[111]方向生长的单晶β-SiC纳米线.根据多次对比实验的结果,由多重气固（VS）反应提出了该方法制备SiC纳米线的生长机理.
- 李甲林唐元洪李小祥李晓川
- 关键词：SIC纳米线
- 硅纳米线的发光性能研究及其应用前景被引量：4
- 2008年
- 硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路。文中重点介绍了硅纳米线光致发光特性的研究现状及其发光机制的理论研究,最后对硅纳米线的应用前景加以展望。
- 李甲林唐元洪李小祥李晓川
- 关键词：硅纳米线光致发光量子限制效应发光机制
- 氮化镓与碳化硅纳米线的CVD法制备与表征
- 作为两种性能优越的宽带隙半导体材料,氮化镓/(GaN/)与碳化硅/(SiC/)材料具备了卓越的物理化学性质、力学以及光学性质,二者的块体材料在被应用的过程中,已经显现了巨大的优势。由于一维纳米材料具有尺寸效应、量子限制效...
- 李甲林
- 关键词：GAN纳米线SIC纳米线CVD法
- 文献传递
- 无金属催化剂制备碳纳米管的研究进展被引量：2
- 2008年
- 本文综述了目前无金属催化剂制备碳纳米管工艺的研究进展,介绍了电弧法、激光辅助热解法、等离子蒸发法等方法的制备原理、过程及特点。并对无金属催化剂制备碳纳米管技术的应用前景提出了展望。
- 李晓川唐元洪林良武李甲林
- 关键词：碳纳米管
- 一维硅氧线的水热法制备及光致发光被引量：2
- 2007年
- 以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100~200nm,长度可以达到几十微米.X射线能谱仪（EDS）定量分析了该一维材料的成分,表明该纳米线由硅和氧两种元素组成.荧光光谱法测试了硅氧线的发光光谱,表明在426和446nm处有较强的发光.通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件,同时根据实验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理.
- 李小祥唐元洪林良武李甲林
- 关键词：水热法
