柏维
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 掺杂半导体中孤立杂质能级的研究
- 1993年
- 提出一种计算掺杂半导体中孤立杂质能级的方法,该方法建立在密度函数理论基础之上。在应用时只需考虑杂质原子所在处的电子密度状态,对所研究对象的对称性没有特别的要求。在低掺杂浓度下,理论计算结果与实验结果基本一致。
- 柏维
- 关键词：杂质能级深能级半导体
- 退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO_2电荷贮存的影响被引量：1
- 1996年
- 该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱，研究了退火热处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２（ＰＶＤＦ－聚偏氟乙烯）电荷贮存及稳定性的影响．用红外光谱实验对样品退火前、后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理，可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性．
- 柏维杨大本
- 关键词：驻极体退火复合膜PVDF
- 自旋S=1/2号反铁磁链的量子Monte Carlo研究被引量：1
- 1992年
- 在投影量子Monte Carll方法基础上,提出了一种有效地处理反铁磁自旋长链的Monte Carlo方法。用该算法计算了自旋S=1/2、链长N=32的反铁磁链的基态能。计算结果与Betsuyaku和Bonner等人的结果相符合。同时,计算了反铁磁链的基态关联函数,得出了随链长N的增加,其自旋链的长程有序消失的结论。
- 柏维
- 关键词：基态能
- 杂化膜驻极体PVDF／SiO_2的电荷输运特性
- 1995年
- 通过常温和高温下对ＰＶＤＦ／ＳｉＯ＿２，（ＰＶＤＦ－聚偏氯乙烯）膜的恒压负电晕充电，系统地研究了充电注入的负表面电荷受激脱阱后在电荷层自身内场作用下的输运规律。确定了ＴＳＤ（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＳｔｉｍｕｌａｒｅｄＤｉｓｃｈａｒｇｅ）的偶极峰和空间电荷峰对电荷稳定性的明显区另。实验结果表明，高温负电晕充电对该材料的驻极性能有明显的改善。
- 柏维杨大本
- 关键词：杂化膜驻极体极化电荷空间电荷电荷输运
- 杂化膜驻极体PVDF／SiO_2表面改性的研究被引量：1
- 1994年
- 较系统地研究了化学表面改性对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ＿２（ＰＶＤＦ－聚偏氟乙烯）电荷储存及稳定性的影响。实验结果在明：在面改性处理将在杂化膜驻极体表面形成一疏水的保护层，这对于改善杂化膜的电荷储存及稳定性起到显著的作用。另一方面当杂化膜内部存在过剩水分子时，此疏水层也会阻止水分子向外扩散，造成表面改性后驻极体内的电荷快速衰减这一反常现象．
- 柏维杨大本
- 关键词：杂化膜驻极体聚偏氟乙烯改性
- 复合薄膜ＰＶＤＦ／ＳｉＯ<,2>的介电特性
- 柏维杨大本
- 关键词：水解聚合物膜介电性质
- 自旋S=1/2反铁磁链元激发谱的量子Monte Carlo研究
- 1993年
- 提出一种扩展投影量子Monte Carlo方法。用该方法计算了S=1/2反铁磁自旋链(链长N=32)的元激发谱。计算结果表明元激发谱为E_k=C|sinK|,与Anderson用自旋波理论求得的E_k=|sinK|不同。它存在一个振幅修正参数C。
- 柏维
- 关键词：自旋链元激发谱量子蒙特卡罗法
- 复合驻极体薄膜PVDF/SiO<,2>及驻极效应的研究
- 柏维
