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潘岭峰

作品数：16 被引量：20H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 8篇激光
  • 7篇光学
  • 4篇光束
  • 3篇图形化
  • 3篇刻蚀
  • 2篇氮化镓
  • 2篇等离子体
  • 2篇电阻
  • 2篇衍射
  • 2篇衍射光学
  • 2篇衍射光学元件
  • 2篇探测器
  • 2篇显色指数
  • 2篇谐振腔
  • 2篇量子效率
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇面光源
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇晶圆

机构

  • 11篇中国科学院
  • 9篇中国科学院微...
  • 4篇桂林电子科技...
  • 3篇清华大学
  • 1篇教育部

作者

  • 16篇潘岭峰
  • 10篇王晓峰
  • 9篇张紫辰
  • 5篇伊晓燕
  • 4篇樊中朝
  • 4篇王军喜
  • 4篇何志
  • 3篇杨富华
  • 3篇李海鸥
  • 2篇李晋闽
  • 2篇李琦
  • 2篇王良臣
  • 2篇韦春荣
  • 2篇黄亚军
  • 2篇季安
  • 2篇赵永梅
  • 2篇刘敏
  • 2篇王晓东
  • 2篇李琪
  • 1篇刘兴昉

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇激光与红外
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 8篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
紫外激光改性氧化钒薄膜
2017年
氧化钒薄膜制备后需要进行退火处理以降低非晶态氧化钒薄膜的方阻大小并改善薄膜结晶特性。传统退火方式时间较长且退火过程会导致器件性能降低。本文主要利用激光精确控制的特点处理氧化钒薄膜,通过平顶光路系统改变激光功率、高斯光斑形貌以及光斑的重叠率对氧化钒薄膜进行退火处理,主要研究了激光能量密度以及光斑重叠率对氧化钒薄膜的方阻,表面粗糙度以及结晶度的影响。实验结果表明激光功率为0.7 W,光斑重叠率为93.33%,光斑能量密度为62.2 m J/cm^2时,退火氧化钒薄膜的方阻值明显降低,薄膜表面光滑且氧化钒结晶度较好。
李海鸥丁志华丁志华王晓峰潘岭峰
关键词：激光功率氧化钒薄膜激光退火光束整形
532 nm平顶激光光束用于硅晶圆开槽的研究被引量：1
2017年
根据衍射原理,设计并制备了平顶整形元件,将激光能量由高斯分布转变为平顶分布。利用532nm脉冲激光进行了硅晶圆激光划片实验,研究了激光能量、划片速度及聚焦位置对划片效果的影响。结果表明,基于平顶光束的激光划片,可实现宽约为16μm、深约为18μm的划槽,且槽底部平坦,槽壁陡直;与高斯光束相比,平顶光束下热影响区明显减小。
李海鸥韦春荣王晓峰张紫辰张紫辰
关键词：激光技术脉冲激光硅片热影响区
低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率被引量：1
2011年
首先分析了在制作GaN基LED时,采用干法刻蚀技术会对材料的表面和量子阱有源区造成损伤,影响了GaN基LED的内量子效率。针对这个问题,研究实验采用感应耦合等离子反应刻蚀(ICP-RIE)技术,分别选择了氯气/三氯化硼(Cl2/BCl3)气体体系和氯气/氩气(Cl2/Ar)气体体系,通过优化射频功率、ICP功率、气体流量以及相应的真空度,得到了良好的刻蚀端面,对于材料造成的损伤较低,得到更好的I-V特性。实验结果表明,采用低损伤的偏压功率刻蚀后制作的LED器件,出光功率提升一倍以上,同时采用Cl2/Ar气体体系,改善了器件的I-V特性,有效提高了LED的出光效率。
潘岭峰李琪伊晓燕樊中朝王良臣王军喜
关键词：发光二极管(LED)干法刻蚀内量子效率
一种红外探测器及其制作方法
本申请公开了一种红外探测器及其制作方法，其中，所述红外探测器包括：衬底，所述衬底上设置有反射部，所述衬底上悬空设置有微桥，所述衬底与所述微桥围成的空腔形成光学谐振腔；所述微桥具有热敏层，所述热敏层上设置有图形化薄膜；红外...
张紫辰王晓峰潘岭峰
文献传递
激光退火装置及方法
本发明提供的激光退火装置及方法，包括激光器，用于发射激光，形成所述激光退火装置需要的光源；光学系统，用于将所述激光器发射的激光整形为线形平顶光斑后，发射到样品表面；样品位移系统，用于盛放所述样品，并调整所述样品的位置。通...
张紫辰王晓峰潘岭峰
文献传递
一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法
本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第...
赵永梅何志季安王晓峰黄亚军潘岭峰樊中朝王晓东杨富华
文献传递
晶圆激光切割技术的研究进展被引量：11
2017年
综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景。与刀片切割技术相比,激光切割技术具有切割质量好、切割速度快等优点。详细介绍了以进一步改善晶圆切割质量和提高切割速度为目的的几类整形激光切割技术,包括微水导激光切割技术、隐形切割技术、多焦点光束切割、"线聚焦"切割、平顶光束切割和多光束切割等。随着技术的不断完善、切割设备的不断成熟,整形激光切割技术在未来的晶圆切割领域将具有广阔的应用前景。
李海鸥韦春荣王晓峰张紫辰潘岭峰李琦陈永和
关键词：激光切割
一种匀化白光光源及其匀化方法
一种匀化白光光源，包括一光源、一匀化系统和一荧光转换器件，其中：光源为点光源，用于发射光束；匀化系统用于对光束进行匀化，以使光束形成匀化面光源；荧光转换器件，用于接收匀化面光源的光束，实现白光输出。上述匀化系统为扩散片、...
伊晓燕潘岭峰王晓峰何志王军喜李晋闽
文献传递
AlN陶瓷激光金属化的研究进展被引量：4
2017年
介绍了氮化铝(AlN)陶瓷激光金属化的进展和金属化过程中的问题以及主要解决方法。激光金属化利用激光的热效应使AlN表面发生热分解,直接生成金属导电层,该方法具有成本低、效率高、设备维护简单等优点。进一步介绍了激光器、光束质量、工艺参数等的优化方法以及AlN陶瓷金属化的应用,并对AlN陶瓷激光金属化在未来的发展进行了展望。
黄平奖王晓峰李琦张紫辰潘岭峰
关键词：激光光学金属化AIN
一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法
本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC...
刘敏何志刘胜北刘兴昉杨香樊中朝王晓峰潘岭峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
文献传递
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