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王丽明

作品数:9 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 3篇INGAAS...
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤放大
  • 2篇光纤放大器
  • 2篇放大器
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇掺饵光纤放大...
  • 1篇段式
  • 1篇新月
  • 1篇折射率
  • 1篇生产技术
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇梯度折射率
  • 1篇谱分析
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇脊型波导
  • 1篇功率激光器
  • 1篇固体激光

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇王丽明
  • 4篇马骁宇
  • 4篇刘德钧
  • 3篇张洪琴
  • 3篇彭怀德
  • 3篇郭良
  • 3篇王仲明
  • 3篇吕卉
  • 2篇汪孝杰
  • 2篇马朝华
  • 2篇阎莉
  • 2篇陈良惠
  • 2篇夏彩虹
  • 2篇孙国喜
  • 2篇王树堂
  • 1篇田慧良
  • 1篇余金中
  • 1篇张静媛
  • 1篇曾靖
  • 1篇徐仲英

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2001
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1990
  • 2篇1989
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
1.48μm掺铒光纤放大器泵源
1996年
用P型InP衬底新月型(PBC)结构制备1.48μm大功率激光器,与单模光纤耦合输出功率大于40mW.
彭怀德刘德钧阎莉王丽明张洪琴王仲明夏彩虹孙国喜
关键词:掺饵光纤放大器放大器
GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
1990年
对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,激光振荡出现在n=2的子带跃迁。随着阱宽减小,n=1子带跃迁的饱和增益增加,使激光振荡能在n=1子带发生,而n=2子带的受激就需要比原来更大的注入才有可能。材料增益随阱宽减小呈超线性地增加,从而降低了n=1子带受激的最小腔长。因此,用较窄的量子阱(≤100A),高的端面反射率和尽可能短的腔长,就能得到很低的阈电流。TE和TM模增益谱的不同,使激光器在一定阱宽和腔损耗下具有不同的TE和TM激射波长。
郑宝真许继宗王丽明徐仲英朱龙德
关键词:GAAS/ALGAAS梯度折射率
1.48μm掺饵光纤放大器泵源
1996年
采用P型InP衬底新月型(PBC)结构制备了1.48μm大功率激光器,该激光器与单模光纤耦合输出功率大于40mW。
彭怀德刘德钧阎莉王丽明张洪琴王仲明夏彩虹孙国喜
关键词:大功率激光器光纤光纤放大器
1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器被引量:2
1989年
本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1.53μm,最高连续工作温度105℃.
彭怀德马朝华汪孝杰张盛廉吕卉王丽明武淑珍马骁宇张洪琴
关键词:激光器PBC
双段式PBC型1.3μmInGaAsP超辐射发光二极管
1995年
本文报导了1.3μm超辐射发光二极管的研究成果。室温下,驱动电流为150mA时,单管输出功率可达4.3mW,光谱半宽为21um。
赵玲娟余金中刘德钧杨亚丽郭良王丽明张晓燕
关键词:INGAASP超辐射发光二极管
670nm半导体量子阱激光器批量生产
郭良马骁宇陈良惠王丽明茅冬生谭满清潘贵生刘德钧王树堂李玉璋
(项目所属科学技术领域、主要内容、特点及应用推广情况) 该项目属于信息技术领域中光信息处理和存储系统关键光电子器件-GaInP/InGaAlP应变量子阱可见光红光波段(λ=620nm-690nm)激光器中试规模批量生产技...
关键词:
关键词:半导体量子阱激光器生产技术
低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用
1996年
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器.
马骁宇王树堂熊飞克郭良王仲明曾靖王丽明陈良惠
关键词:MOCVDINGAASPINP
宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究被引量:4
2004年
介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs) 的研制方法和应用。制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀。分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较。
王勇刚马骁宇吕卉王丽明刘媛媛
关键词:湿法腐蚀干法腐蚀固体激光器
1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器被引量:2
1989年
用两次液相外延制备了1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器.室温下无扭折直流光功率超过6mW,阈值电流为34mA,单面外微分量子效率高达33%.在室温附近的稳定单纵模工作温度范围超过43℃,波长温度系数为0.9A/K.在1.6mW输出光功率下的静态线宽为60MHz.在1GHz正弦调制下仍为单纵模输出.
王圩张静媛田慧良缪育博汪孝杰马朝华王丽明吕卉高俊华高洪海
关键词:激光器波导
共1页<1>
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