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王晓欣

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇发光
  • 6篇硅基
  • 5篇纳米
  • 5篇光材料
  • 5篇发光器件
  • 4篇稀土
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇发光材料
  • 4篇掺杂
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇等离子增强化...
  • 2篇电极
  • 2篇电致发光
  • 2篇电注入

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇王晓欣
  • 13篇王启明
  • 11篇张建国
  • 9篇余金中
  • 9篇成步文
  • 1篇丁武昌

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 8篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法
本发明涉及光电子薄膜材料及器件的制备与应用技术领域。特别是一种用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法。第一步,按一定化学剂量比制备Er-Si-O溶胶;第二步,在经过常规处理的硅衬底上旋转涂覆一层Er-Si-O干凝胶薄膜...
王晓欣张建国王启明
文献传递
硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法
一种硅基稀土掺杂发光材料制备方法,其特征在于,其中包括如下步骤:步骤1:取一硅基衬底体材料,或硅基衬底体材料上的薄膜;步骤2:通过离子注入或淀积的方法在衬底材料或硅基衬底体材料上的薄膜表面生长一层含有杂质的硅基薄膜;步骤...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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低维Si基材料的制备与发光特性
Si基发光器件的研究是实现光电单片集成的重要环节。体硅(c-Si)是间接带隙材料,辐射复合几率低,因而发光效率低。本论文主要研究低维Si基发光材料,包括富纳米晶硅的二氧化硅(SRSO)、Er-Si-O晶体薄膜(Er2Si...
王晓欣
关键词:光致发光电致发光发光特性
稀土复合离子注入发光材料制备方法
本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法,其特征在于,其中包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在该衬底上注入稀土离子的复合离子;步骤3:退火,完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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稀土复合离子注入发光材料制备方法
本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法,其特征在于,其中包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在该衬底上注入稀土离子的复合离子;步骤3:退火,完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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硅基稀土掺杂电致发光器件
本发明一种硅基稀土掺杂电致发光器件,其中包括:一p-型或n-型硅衬底;一稀土掺杂硅基发光材料,该稀土掺杂硅基发光材料制作在p-型或n-型硅衬底上,该稀土掺杂硅基发光材料是器件的有源区;一纳米尺寸厚度的介质层作为加速层,此...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法
一种硅基高效等电子掺杂发光器件,其中包括:一n-型或p-型硅基衬底;一硅基掺杂层,该硅基掺杂层制作在n-型或p-型硅基衬底上面,该硅基掺杂层是发光器件的有源区;一p-型或n-型重掺硅层,该p-型或n-型重掺硅层制作在硅基...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法
一种制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法,其中包括:步骤1:取一p-型或n-型硅基衬底;步骤2:在p-型或n-型硅基衬底表面制备一层硅基薄膜;步骤3:在硅基薄膜中形成纳米尺度硅基化合物量子点,硅基化合物量子点的尺寸小...
张建国王晓欣丁武昌成步文余金中王启明
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大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法
一种大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法,包括如下步骤:步骤1:在单晶硅片衬底上用物理气相沉积法、磁控溅射法或者化学气相沉积法沉积一层非晶态薄膜;步骤2:然后在密闭石英管反应腔内充入流动的N<Sub>2</Sub...
王晓欣王启明
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大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法
一种大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法,包括如下步骤:步骤1:在单晶硅片衬底上用物理气相沉积法、磁控溅射法或者化学气相沉积法沉积一层非晶态薄膜;步骤2:用光刻工艺和湿法刻蚀在沉积的非晶态氧化硅薄膜上,开出数微米...
王晓欣王启明
文献传递
共2页<12>
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