王贞福
- 作品数：76 被引量：105H指数：7
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 低温808 nm高效率半导体激光器被引量：3
- 2022年
- 为了提高低温工作环境下808 nm半导体激光器的输出特性,深入研究了电光转换效率的温度特性。结合载流子泄漏抑制和器件串联电阻的优化考虑,从理论上深入分析了有源区量子阱内的载流子限制现象,提出针对低温工作环境下的势垒高度及相应的量子阱结构设计方法,包括势垒层的材料组分、厚度等重要参数的优化,极大地改善了器件在低温工作环境下的性能。采用优化后的外延结构,制备了腔长2 mm的半导体激光巴条。在工作温度-50℃、注入电流为600 A时,巴条输出功率达到799 W,电光转换效率为71%,斜率效率为1.34 W/A;注入电流为400 A时,器件达到最高电光转换效率73.5%,此时的载流子限制效率约为99%,串联电阻为0.43 mΩ;在-60~60℃温度范围内,中心波长随温度的漂移系数为0.248 nm/℃。
- 吴顺华刘国军王贞福李特
- 关键词：半导体激光器温度效应
- 一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵
- 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵，解决了现有冷却热沉换热能力不佳以及热量传递没有导引措的问题。该冷却热沉包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片、上冷却叠片、导流叠片、下...
- 陈琅李特王贞福于学成
- 高功率半导体激光阵列的高温特性机理被引量：3
- 2020年
- 高峰值功率半导体激光阵列在高温工作条件中的应用需求日益凸显,本文以微通道封装的高峰值功率960 nm半导体激光阵列为研究对象,通过精密控温系统测试了其在10~80℃范围内峰值功率、电光转换效率、工作电压和光谱等一系列光电特性,结合理论分析,给出不同温度下电光转化效率的能量损耗分布。结果表明,工作温度从10℃升高到80℃后,电光转化效率从63.95%下降到47.68%,其中载流子泄漏损耗占比从1.93%上升到14.85%,是导致电光转换效率下降的主要因素。该研究对高峰值功率半导体激光器阵列在高温应用和激光芯片设计方面具有重要的指导意义。
- 李波王贞福王贞福杨国文杨国文赵宇亮李特王刚白少博杜宇琦
- 关键词：高温微通道
- 消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置
- 本实用新型提出一种消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置。该显微镜辅助装置包括底座、旋转基体、旋转驱动机构和置物台以及置物台支架；所述底座的上表面开设有凹槽以及横穿凹槽的转轴，旋转基体通过转轴安装于所述凹槽内，能够在旋转驱...
- 李秀山王贞福杨国文
- 文献传递
- 一种基于热补偿电流的大功率VCSEL模型被引量：9
- 2009年
- 基于激光速率方程并加入了热补偿电流,建立了一种用于分析大功率垂直腔面发射激光器(VCSELs)输出特性(P-I)的模型。先测得已知温度下的P-I特性,根据实验数据,利用阈值电流和温度的关系和Gao等人的方法得到a参数和其它参数。把所得参数代入模型,可以获得所需温度下的P-I特性。从模拟结果可以看出,不同温度下,模拟结果与实验结果吻合的非常好,而不考虑热补偿电流时差别很大,从而证明了该激光器模型的有效性;同时,从有源区温度和电流关系曲线可以看出,有源区随着电流增加温升很快,进一步证实了我们研究温度影响的重要性。
- 马强田振华王贞福秦莉宁永强
- 关键词：速率方程VCSELS热模型
- 消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置
- 本发明提出一种消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置。该显微镜辅助装置包括底座、旋转基体、旋转驱动机构和置物台以及置物台支架；所述底座的上表面开设有凹槽以及横穿凹槽的转轴，旋转基体通过转轴安装于所述凹槽内，能够在旋转驱动机...
- 李秀山王贞福杨国文
- 文献传递
- 一种用于功率芯片的嵌入式冷却热沉及半导体器件
- 本发明涉及一种用于功率芯片的嵌入式冷却热沉及半导体器件，以解决目前功率芯片与冷却热沉之间热量需经过多层传导路径，导致热阻增加，热沉与功率芯片封装厚度大，芯片裸露在热沉外部容易损伤的技术问题。该嵌入式冷却热沉的上密封叠片一...
- 陈琅李特王贞福于学成
- 高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化被引量：2
- 2021年
- 针对高功率半导体激光芯片工作温度升高易引起芯片性能退化和失效问题,首先理论分析了工作温度对内量子效率的影响机理。其次,为量化温度影响芯片稳定性的主要因素,自主搭建高功率半导体激光列阵芯片测试系统,研究15~60℃半导体激光列阵芯片的温度特性,分析了5种能量损耗分布及其随温度的变化趋势。实验结果表明,当温度由15℃升高至60℃,载流子泄漏损耗占比由2.30%急剧上升至11.36%,是造成半导体激光芯片在高温下电光转换效率降低的主要因素。最后进行了外延结构的仿真优化,仿真结果表明,提高波导层Al组分至20%,能有效限制载流子泄漏,平衡Al组分增加带来的串联电阻增大问题,可以获得高效率输出。该研究对高温下半导体激光芯片的设计具有重要的指导意义。
- 杜宇琦王贞福张晓颖杨国文李特刘育衔李波常奕栋赵宇亮兰宇
- 关键词：高功率
- 一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置
- 本发明的目的是解决在满足现有散热装置的散热能力前提下，如何降低散热装置内部压强的问题，而提供一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置。该散热装置包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片、上冷却叠片、导流叠片、下冷却...
- 陈琅李特王贞福于学成
- 文献传递
- 微透镜集成大功率垂直腔面发射激光器被引量：3
- 2009年
- 为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,包括9对In_(0.2)Ga_(0.8)As(6 nm)/Ca_(0.18)As_(0.82)P(8 nm)量子阱.有源区直径100μm,微透镜直径300μm,曲率半径959.81μm,表面粗糙度13 nm。室温下,器件连续输出功率大于180 mW,阈值电流200 mA,远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4°,并且与没有微透镜的垂直腔面发射激光器输出特性进行了比较。
- 王贞福宁永强张岩史晶晶李特崔锦江刘光裕张星秦莉孙艳芳刘云王立军
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器微透镜横模远场发散角
