王静
- 作品数：4 被引量：53H指数：3
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性被引量：7
- 2007年
- 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线。结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强。但是,在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大。随退火温度升高,高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(B)与V6O13混合,再到V6O13的转变过程,B表示薄膜无热致相变特性。低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(A)的转变,A表示薄膜有热致相变特性。这些薄膜的电学性质也有很大不同。
- 刘中华何捷孟庆凯王静
- 关键词：氧化钒物相真空度
- 特型二氧化钒薄膜的制备及电阻温度系数的研究被引量：32
- 2005年
- 采用真空蒸发真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻温度系数(TCR)值达到-3.4×10-2K-1,无相变和热滞现象.作者还讨论了薄膜电阻温度关系,及其电阻温度系数与晶粒大小、激活能等的关系.
- 尚东林理彬何捷王静卢勇
- 关键词：真空退火
- 一种改进跨导运放的采样保持电路
- 2010年
- 采样保持电路的信号精度和建立速度直接影响到整个流水线型模数转换器的分辨率和转换速率.本文改进了辅助运放的共模反馈结构,解决了传统结构中跨导运放连续时间共模反馈(CMFB)电路设计困难,偏置电路复杂的问题,使用工作在饱和区边沿的MOS管对实现反馈结构,使输出共模电平在1.65 v快速稳定.该采样保持电路基于0.5μm 2P3M CMOS工艺,使ADC达到了10位,40 MHz的性能,一级采样电路在3.3 V的电压下其功耗为6 mW.
- 王静邬齐荣龚敏陈畅
- 关键词：采样保持电路共模反馈
- 关于退火温度对VO_2薄膜制备及其电学性质影响的研究被引量：17
- 2006年
- 采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.
- 王静何捷刘中华
- 关键词：退火温度
