您的位置： 专家智库 > >

缪中林

作品数：9 被引量：18H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇光谱
  • 3篇砷化镓
  • 3篇光谱研究
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇GAAS
  • 2篇荧光谱
  • 2篇光荧光
  • 2篇光荧光谱
  • 2篇半导体
  • 1篇单量子阱
  • 1篇电阻
  • 1篇调制
  • 1篇质子
  • 1篇声子
  • 1篇声子色散
  • 1篇势垒
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电体
  • 1篇钛酸

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇温州师范学院

作者

  • 9篇缪中林
  • 8篇陆卫
  • 7篇李志锋
  • 6篇陈平平
  • 6篇蔡炜颖
  • 5篇徐文兰
  • 5篇沈学础
  • 4篇朱德彰
  • 4篇袁先漳
  • 4篇刘平
  • 4篇陈昌明
  • 4篇李明乾
  • 2篇史国良
  • 1篇胡钧
  • 1篇潘浩昌
  • 1篇陈贵宾
  • 1篇陈益栋
  • 1篇胡军
  • 1篇胡均

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 6篇2001
  • 1篇1999
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱界面混合效应光荧光谱研究
2001年
用分子束外延系统生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元 ,没有经过快速热退火过程 ,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱 ,发现子带间跃迁能量最大变化范围接近 10 0 me V。
缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡均李明乾
关键词：光荧光谱GAASALGAAS
离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究被引量：8
2002年
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAs AlGaAs非对称耦合量子阱单元 ,通过光致荧光谱测量 ,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 .荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明 ,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成 ,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心 .
陈贵宾陆卫缪中林李志锋蔡炜颖沈学础陈昌明朱德彰胡钧李明乾
关键词：离子注入半导体
不同晶向SrTiO_3上外延GaAs薄膜的光谱研究被引量：1
2001年
利用MBE生长技术 ,成功地在不同晶向SrTiO3 ( 1 0 0 ) ( 1 1 1 ) ( 1 1 0 )衬底上生长了GaAs薄膜 ,利用显微Raman和荧光光谱 (PL)对此进行了研究。实验结果表明 ,在不同晶向SrTiO3 上生长的GaAs薄膜有不同的晶向和应力状态。荧光光谱 (PL)研究表明在SrTiO3 ( 1 0 0 ) ( 1 1 1 )晶面上生长的GaAs薄膜的PL峰发生明显的蓝移。研究表明在SrTiO3 ( 1 1 0 )面上生长的GaAs薄膜和体单晶基本上一致 ,有更好的光学质量。
陈平平缪中林陆卫蔡炜颖李志锋沈学础
关键词：RAMAN光谱砷化镓钛酸锶
Al<,0.3>Ga<,0.7>As/GaAs表面量子阱在生长不同厚度Al层时的光调制反射光谱研究
系统地研究了不同厚度的GaAs表面量子阱，在生长不同厚度的Al层后得到的光调制光谱的变化。实验表明，对于Al层较小的表面量子阱样品，表面量子阱的调制光谱峰位发生了蓝移，而对于Al层较厚的样品，表面量子阱的峰趋向平坦。
缪中林陈益栋陆卫陈平平
关键词：GAAS分子束外延
GaAs/Al_xGa_(1-x)As表面单量子阱原位光调制反射光谱研究被引量：3
2001年
用分子束外延 (MBE)方法生长了两种典型阱宽 (5nm和 10nm)的表面单量子阱 ,表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚 .以原位光调制光谱 (PR)作为测量手段 ,明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空势垒对于不同阱宽表面量子阱中的受限电子态的束缚作用 ,并且看到了 10nm表面量子阱激发态的跃迁峰 .采用有效质量近似理论对实验结果作了较好的解释 .
缪中林陈平平陆卫徐文兰李志锋蔡炜颖史国良沈学础
关键词：分子束外延砷化镓
组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究被引量：1
2001年
用分子束外延系统 (MBE)生长了GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱 (ACDQW ) ,采用组合注入质子的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入剂量的GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱单元 ,没有经过快速热退火的过程 ,在常温下测量了不同注入剂量量子阱单元的显微光荧光谱和光调制反射光谱 ,发现了各区域子带间跃迁能量最大变化范围达到 81meV .由于样品未作高温热退火处理 ,为此由Al组分误差函数模型推导的扩散长度要大大高于扩散系数公式 .耦合量子阱的界面混合效应对于质子注入非常敏感 .
缪中林陈平平蔡炜颖李志锋袁先漳刘平史国良徐文兰陆卫陈昌明朱德彰潘浩昌胡军李明乾
关键词：半导体砷化镓
Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究被引量：2
2004年
用分子束外延 (MBE)方法在GaAs表面量子阱上外延生长不同厚度的Al层 ,以超高真空下的原位光调制光谱(PR)作为测量手段 ,研究Al扩散形成的表面势垒层对于GaAs表面量子阱中带间跃迁峰位和峰形的影响 .根据跃迁峰的变化 ,采用有效质量近似理论计算出了Al和GaAs的互扩散长度为 0 5nm 。
袁先漳缪中林
关键词：光调制MBE分子束外延表面势垒峰形
组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱被引量：1
2001年
用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .
缪中林陆卫陈平平李志锋刘平袁先漳蔡炜颖徐文兰沈学础陈昌明朱德彰胡军李明乾
PbTiO_3铁电相及顺电相的声子色散理论计算被引量：3
2001年
用统一的、参数物理意义明确的刚性离子模型研究了铁电体PbTiO3 铁电相和顺电相的声子色散关系和布里渊区中心有关相变的振动模 ,用比以往计算少得多的参数得到了比较好的结果 ,并提出了研究软模的简化模型构想 .
刘平徐文兰李志锋缪中林陆卫
关键词：声子色散钛酸铅铁电体
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0