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胡道珊

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇LED

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇胡道珊
  • 1篇郭康瑾
  • 1篇徐少华
  • 1篇朱黎明
  • 1篇陈瑞璋

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇1992
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究
1992年
用于单模光纤系统的平面隐埋脊型(PBRS)InGaAs P/IuP DH LED已研制成功.本文对材料和器件设计作了简要描述.异质结晶体系采用二次液相外延生长,器件具有斜胶面受激抑制结构和平面隐埋脊型有源区,用激光焊接金属化封装技术使器件与单模光纤耦合对接.波器件在单模光纤中的入纤功率达35μW,是国内已见报道中最高的结果,带宽195MHz.在四次群传输实验中,无中继传输距由大于20公里.
郭康瑾陈启玙徐少华陈瑞璋张晓平肖德元朱黎明胡道珊冯培均
关键词：发光二极管异质结
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共1页<1>
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