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艾尔肯

作品数：25 被引量：61H指数：5
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇会议论文
  • 12篇期刊文章

领域

  • 19篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 12篇剂量率
  • 8篇剂量率效应
  • 7篇运算放大器
  • 7篇退火特性
  • 7篇晶体管
  • 7篇放大器
  • 7篇辐照
  • 6篇双极晶体管
  • 5篇双极运算放大...
  • 4篇双极器件
  • 4篇退火
  • 3篇电路
  • 3篇电子辐照
  • 3篇光谱
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇光致发光谱
  • 3篇发光
  • 2篇低剂量
  • 2篇电子束辐照

机构

  • 23篇中国科学院新...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 25篇艾尔肯
  • 23篇郭旗
  • 20篇任迪远
  • 19篇陆妩
  • 12篇余学峰
  • 8篇余学锋
  • 4篇玛丽娅
  • 4篇李豫东
  • 3篇文林
  • 3篇汪波
  • 3篇张国强
  • 3篇王海娇
  • 2篇张华林
  • 2篇崔帅
  • 1篇周东
  • 1篇何承发
  • 1篇艾力伊
  • 1篇李占行

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇核技术
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇2005第十...
  • 2篇第八届全国抗...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇云南天文台台...
  • 1篇第九届全国抗...
  • 1篇中国科协20...
  • 1篇2014`全...
  • 1篇第一届核学会...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 13篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇1998
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双极器件不同剂量率的辐射效应和退火特性
本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的...
陆妩任迪远余学锋郭旗艾尔肯
关键词：双极晶体管双极运算放大器
文献传递
InGaAs/InP量子阱与体材料1MeV电子辐照光致发光谱研究
nGaAs/InP材料进行了1MeV电子束辐照,注量为5×1012cm-2～9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,对样品进行了PL谱(光致发光谱)测试,得到了不同结构InGaA...
玛丽娅李豫东郭旗艾尔肯王海娇文林汪波曾骏哲
关键词：电子束辐照光致发光谱
In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究被引量：3
2015年
为获得对In0.53Ga0.47As/In P材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律,开展了1 Me V电子束辐照试验,注量为5×1012—9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,进行了光致发光谱测试,得到了不同结构In0.53Ga0.47As/In P材料在1 Me V电子束辐照下的不同变化规律;对比分析了参数退化的物理机理.结果显示:试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化.体材料最先出现快速退化,而五层量子阱在注量达到6×1014cm-2时,就已经退化至辐照前的9%.经分析认为原因有:1)电子束进入样品后,与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,致使产生的激子数量减少,光致发光强度降低;电子束辐照在材料中引入缺陷,增加了非辐射复合中心密度,导致载流子迁移率降低.2)量子阱的二维限制作用使载流子运动受限,从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率;敏感区域截面积相同条件下,体材料比量子阱材料辐射损伤更为严重.3)量子阱的层数越多,则异质结界面数越多,相应的产生的界面缺陷数量也随之增多,辐射损伤越严重.
玛丽娅李豫东郭旗艾尔肯王海娇汪波曾骏哲
关键词：P电子束辐照光致发光谱
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性
本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(10O、10、1及0.01、0.0064rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究。结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双...
陆妩任迪远郭旗余学峰艾尔肯
关键词：剂量率效应退火
文献传递
In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究被引量：1
2017年
对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm^2的电子束辐照实验。实验结果显示,电子束轰击量子阱材料,通过能量传递在材料中引入缺陷,导致光致发光减弱;电子束辐照后的量子阱中同时存在应力释放和原子互混现象,导致量子阱的发光峰先红移后蓝移;辐照后的量子阱发光波长取决于应变弛豫和扩散的共同作用。
玛丽娅郭旗艾尔肯李豫东李占行文林周东
关键词：光致发光谱
不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究
本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
余学峰艾尔肯陆妩郭旗任迪远
关键词：总剂量辐照辐照损伤CMOS
文献传递
高稳定性PMOS剂量计
为了改善PMOS剂量计的温度补偿技术,本文提出了一种用双MOSFET构成具有复合差分输出的PMOS剂量计.研究了复合差分输出PMOS剂量计对温度效应的补偿效果,试验测试了其辐射响应和退火特性.结果表明采用复合差分输出技术...
郭旗艾尔肯余学锋陆妩任迪远
关键词：高稳定性温度特性退火特性
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响
2005年
对注F和未注FCC4 0 0 7器件在 10 0℃高温老化后的Co60 辐照特性进行了研究 .研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累 ,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累 ,损害了器件的可靠性 .可见 。
崔帅余学峰任迪远张华林艾尔肯
关键词：辐照可靠性
Si/SiO_2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布被引量：6
2006年
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。
余学峰张国强艾尔肯郭旗陆妩任迪远
关键词：MOS电容氧化物电荷界面态能级分布
奎先达坂选址(Ⅰ)概况及气象条件被引量：1
1998年
简述了确定奎先达坂为我国天文台址资源考察候选点的历史过程;奎先达坂的的概况。最后给出了1995年1月1日～12月31日定点气象和天文可用时间的观测结果。
艾尔肯艾力伊
关键词：气象天文台址
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