苏丽伟
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si基GaN LED可靠性研究
- 近几年来,在硅/(Si/)衬底上生长GaN材料已经取得了很大的进展,并已制作出功率型的Si基GaN蓝绿光发光二极管/(LED/)。众所周知,器件的可靠性直接关系到技术的商业价值与产业化,因此,Si基GaN LED可靠性的...
- 苏丽伟
- 关键词：SIGANLED静电
- 文献传递
- Si衬底功率型GaN基绿光LED性能被引量：10
- 2009年
- 对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7.3 mW,90 mA下达到28.2 mW,发光功率效率为7.5%,光输出饱和电流高达600 mA。在200 mA电流下加速老化216 h,有银反射镜的LED光衰小于无银反射镜的LED,把这一现象归结于Ag反射镜在提高出光效率的同时,降低了芯片本身的温度。本器件有良好的发光效率、光衰和光输出饱和电流等综合特性表明,Si衬底GaN基绿光LED具有诱人的发展前景。
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- 关键词：光学材料SI衬底绿光LED
