范文宾
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 奥氏体不锈钢表面硬质薄膜的制备与性能研究被引量：1
- 2009年
- 用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上分别制备了TiN薄膜和Al_2O_3薄膜,并用XRD、SEM和显微硬度等测试手段对沉积态和退火态薄膜进行表征,分析了不同工艺参数对薄膜的沉积速率、结构和性能的影响,从而得到最佳工艺参数。TiN薄膜在沉积气压为1.5 Pa,氩氮比为16:16时薄膜的硬度值最大为16.0 GPa。Al_2O_3薄膜在沉积气压为0.5 Pa,氩氧比为10:1时薄膜的硬度值可达25.2 GPa。
- 范文宾李合琴邵林飞
- 关键词：奥氏体不锈钢氮化钛薄膜氧化铝薄膜显微硬度
- SiC薄膜及其缓冲层的制备与性能研究
- SiC材料具有良好的电学特性和力学特性,是一种非常理想的可适应诸多恶劣环境的半导体材料。它禁带宽度较大,有热传导率高、耐高温、抗腐蚀、化学稳定性高等特点,用于作为半导体器件和结构材料的表面涂层,具有广阔的市场和应用前景。...
- 范文宾
- 关键词：SIC薄膜射频磁控溅射缓冲层退火红移
- 文献传递
- 退火对Al_2O_3薄膜结构和发光性能的影响被引量：4
- 2009年
- 氧化铝(Al_2O_3)薄膜具有许多优良的物理化学性能,在机械、光学及微电子等高科技领域有着广泛应用,一直受到人们的高度关注。但Al_2O_3具有多种物相形态,性质差别很大。因此研究不同结构对其发光性能的影响在Al_2O_3实际应用中有着重要意义。本文采用射频磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了Al_2O_3薄膜,并在氮气中进行了不同温度的退火,对比了退火前后薄膜的结构和光致发光特性。观察到了在384nm和401nm附近的两个荧光峰,这两个发光峰都是由色心引起的。随着退火温度的升高,Al_2O_3薄膜的结晶质量变好,同时荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化。
- 范文宾李合琴邵林飞
- 关键词：AL2O3薄膜光致发光光谱射频磁控溅射红移色心
- VO_x薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究被引量：5
- 2009年
- VO_2是一种热致相变材料。发生相变时,VO_2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O_2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO_x薄膜的结构、电阻-温度性能的影响。结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO_2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VO_x薄膜的电阻-温度突变性能最佳。
- 邵林飞李合琴范文宾宋泽润
- 关键词：VO2薄膜直流反应磁控溅射
- 耐热钢表面SiC薄膜的制备与性能
- SiC是优秀的高温材料,它在高温时首先与氧反应形成致密的SiO_2钝化膜,阻止了SiC的继续氧化,因此具有高温抗氧化性和高温强度、硬度高耐磨性好、热膨胀系数小、热导率大、优良的抗热震和耐化学腐蚀等特性,已在许多高技术领域...
- 李合琴范文宾邵林飞
