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薛伟东

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇晶闸管
  • 3篇静电感应晶闸...
  • 2篇仿真
  • 2篇仿真模拟
  • 2篇SITH
  • 1篇导通
  • 1篇阻断电压
  • 1篇静电感应器件
  • 1篇静态特性
  • 1篇击穿电压
  • 1篇SID

机构

  • 3篇兰州大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇青海师范高等...

作者

  • 3篇薛伟东
  • 1篇刘英坤
  • 1篇刘肃
  • 1篇姚琢
  • 1篇李思渊

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇兰州大学学报...

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟被引量:1
2002年
引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管(SITH)进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。
薛伟东李思渊刘英坤刘英坤
关键词:静态特性静电感应晶闸管仿真模拟SITH
静电感应器件(SID)作用机制的深入研究
论文结合实验结果和数值模拟对静电感应器件SIT的工作机制、I-V特性进行了系统的分析.首先给出了本征栅近似下的沟道电势、电场呈马鞍型分布的特点.在阻断态小电流范围下,给出沟道势垒控制电流的机制,指出势垒高度与漏压关系不是...
薛伟东
关键词:静电感应器件静电感应晶闸管仿真模拟
文献传递
SITH耐压容量的控制和调节
2001年
分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅
姚琢薛伟东刘肃
关键词:SITH静电感应晶闸管
共1页<1>
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