赵文魁
- 作品数：6 被引量：15H指数：2
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型被引量：1
- 2001年
- 通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 .在此基础上 ,建立了亚阈漏电流模型 ,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性 ,模型计算结果与二维器件模拟软件
- 程彬杰邵志标唐天同沈文正赵文魁
- 关键词：MOS器件
- 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性被引量：2
- 2003年
- 在不同注 F剂量条件下 ,对 P沟和 N沟两种不同差分对输入 CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究 .分析比较了注 F和未注 F运放电路电离辐照响应之间的差异 .结果表明 ,在栅场介质注入适量的 F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,从而提高 CMOS运放电路的抗辐照特性 .
- 任迪远陆妩余学锋郭旗张国强胡浴红王明刚赵文魁
- 关键词：CMOS运算放大器电离辐照跨导
- TFSOI/CMOS ESD研究被引量：2
- 2000年
- 文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。
- 刘文安罗来华赵文魁沈文正
- 关键词：ESD栅控二极管CMOS保护电路
- 栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响被引量：1
- 2001年
- 介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的 N沟输入 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征 .并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较 ,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因 .结果显示 ,氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因 ,是因为 H的引入产生了更多的界面态 ,从而使其单管的跨导明显下降所致 .这表明 ,抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,对提高电路的抗辐射特性至关重要 .
- 陆妩郭旗任迪远余学锋张国强严荣良王明刚胡浴红赵文魁
- 关键词：电离辐射效应
- CMOS运算放大器的辐照和退火行为被引量：8
- 2004年
- 介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后 ,在不同偏置及不同退火温度下 ,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律 ,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因 .结果显示 ,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系 ,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2
- 任迪远陆妩郭旗余学锋王明刚胡浴红赵文魁
- 关键词：CMOS运算放大器电离辐射退火
- CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析被引量：1
- 2002年
- 通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化 ,探讨了引起运放电特性退化的主要原因。结果显示 ,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称 ,在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配 ,是导致运放电参数发生剧变的根本原因。对CMOS运放电路来说 ,电路结构的匹配及MOSFET单管I -V特性的优劣 ,是决定运放抗辐射能力的关键。
- 陆妩郭旗任迪远余学锋张国强严荣良王明刚胡浴红赵文魁
- 关键词：CMOS运算放大器集成电路电路节点电压
