您的位置： 专家智库 > >

陈国栋

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇淀积
  • 1篇动力学
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇化学汽相淀积
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇SI
  • 1篇X

机构

  • 2篇电子工业部
  • 1篇辽宁大学

作者

  • 2篇陈国栋
  • 1篇李威
  • 1篇黄和鸾
  • 1篇高嵩

传媒

  • 2篇微处理机

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1991
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
化学汽相淀积多晶硅薄膜生长的动力学描述
1991年
本文对化学汽相淀积生长多晶硅的过程作了定性描述,经过若干简化后,提出了多晶硅成核模型,根据“液滴”模型进行了晶体生长动力学的分析,此结果在低温成核,高温生长情况下成立。本文未涉及掺杂多晶硅膜的生长问题,它将在另文中讨论。
陈国栋
关键词：化学汽相淀积多晶硅动力学
Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述
1993年
本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。
高嵩黄和鸾陈国栋李威
关键词：异质结双极晶体管
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0