陈环
- 作品数：39 被引量：63H指数：5
- 供职机构：广州大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- Zn<,2>SnO<,4>-LiZnVO<,4>系纳米湿敏材料感湿特性的研究
- 采用共沉淀法制备出Zn<,2>SnO<,4>-LiZnVO<,4>系纳米粉体,考察了液相掺杂时LiZnVO<,4>添加量对材料显微结构、导电类型以及湿敏性能的影响.实验结果表明,适当的LiZnVO<,4>添加量可明显改善...
- 陈环丁志文傅刚胡素梅
- 关键词：纳米粉体电导湿敏特性
- 文献传递
- 一种自适应多模式混合控制降压转换器的研究
- 2013年
- 设计一种降压型多模式DC-DC转换器控制电路。在重载、轻载和极轻载三种负载情况下,针对各阶段主要损耗成因,自动切换成相应最优化的控制模式,适用于电池供能或供能有限的应用场合。仿真实验实现了所设计的电路功能,验证了该技术可以有效提高轻载条件下转换器的效率。
- 金然傅刚陈环刘志宇
- 关键词：DC-DC转换器混合控制
- 一种二氧化锡基复合纳米气敏材料及其制备方法
- 本发明涉及借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析气体的技术领域，具体地说是涉及一种电子元件材料，特别是涉及一种二氧化锡基复合纳米气敏材料及制备方法，该复合纳米气敏材料按净值摩尔配比取二氧化锡基纳米棒晶粒粉体1份与二氧...
- 陈环傅刚张麟
- 文献传递
- 铈掺杂WO_3纳米材料气敏特性研究被引量：7
- 2007年
- 以金属W粉为原料采用溶胶—凝胶法制得纳米级WO3粉体,探讨了不同CeO2添加量对气敏特性的影响。CeO2掺杂WO3材料对挥发性有机化合物(VOCs)气体灵敏度有显著提高,而器件的工作温度有所降低。FE—SEM测试结果说明:CeO2掺杂对晶界的移动形成某种"钉扎"效应,使晶粒减小,比表面积增大。复阻抗谱分析认为,Ce4+主要存在于晶界,使晶界电阻增大,晶界电容减小,提高了WO3材料的气敏特性。
- 罗世钧傅刚陈环洪求三
- 关键词：溶胶-凝胶法三氧化钨
- 一种二氧化锡基复合纳米气敏材料及其制备方法
- 本发明涉及借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析气体的技术领域，具体地说是涉及一种电子元件材料，特别是涉及一种二氧化锡基复合纳米气敏材料及制备方法，该复合纳米气敏材料按净值摩尔配比取二氧化锡基纳米棒晶粒粉体1份与二氧...
- 陈环傅刚张麟
- 文献传递
- 新型二氧化锡基纳米气敏材料及制备方法
- 本发明涉及借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析气体的技术领域，具体地说是涉及一种电子元件材料，特别是涉及一种二氧化锡(SnO<Sub>2</Sub>)基纳米气敏材料及制备方法，该纳米气敏材料首先按摩尔比计算称取氯化...
- 傅刚张麟陈环丁志文
- 文献传递
- SiO_2在ZnO-Bi_2O_3-Sb_2O_3-BaO系压敏陶瓷中的作用被引量：2
- 1997年
- SiO2添加剂对ZnO－Bi2O3－Sb2O3-BaO系和通常的ZnO－Bi2O3－Sb2O3系压敏陶瓷电性能的作用和影响有很大不同通过小电流区伏安特性，交变电压下复阻抗特性，以及对复电容平面图中半弧特性的分析可知。
- 傅刚陈环陈志雄
- 关键词：压敏陶瓷
- 碳纳米管掺杂WO_3气敏元件敏感特性的研究被引量：6
- 2008年
- 研究以碳纳米管（CNT）为掺杂剂制备的CNT-WO3旁热式气敏元件。采用球磨、超声分散的方法对碳纳米管进行分散处理，溶胶-凝胶方法制备WO3微粉，用SEM观察了WO3气敏材料的显微结构，测试了元件对丙酮的气敏性能。结果表明：碳纳米管存在于平均粒径为30-50nm的WO3晶粒间，从而增加了材料的气孔率。碳纳米管掺杂元件对丙酮的灵敏度远高于纯WO3元件，质量分数为0．4％的掺杂量对丙酮有最高灵敏度，具有能检测低体积分数丙酮气体、选择性好的优点，特别是掺杂碳纳米管明显提高了WO3元件的响应速度。
- 金文锐陈环傅刚
- 关键词：WO3薄膜溶胶-凝胶
- 一种二氧化锡基纳米棒气敏材料及其制备方法
- 本发明涉及借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析气体的技术领域，具体地说是涉及一种电子元件材料，特别是涉及一种二氧化锡(SnO<Sub>2</Sub>)基纳米棒气敏材料及制备方法，该纳米棒气敏材料按摩尔比计算称取四氯...
- 傅刚陈环张麟吕平
- 文献传递
- 磁控溅射法制备Ag掺杂p型ZnO薄膜的研究被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响。霍尔测试结果表明,Ag掺杂ZnO薄膜经过600℃的O2气氛中热处理转变为p型电导。薄膜的XRD测试表明晶粒大小随退火温度升高而增大,所有薄膜样品只出现(002)衍射峰,呈现c轴取向生长。薄膜对可见光的透过率大于83%,其吸收限为378nm。
- 王莉何俊刚陈环刘志宇傅刚
- 关键词：氧化锌薄膜银掺杂P型半导体
