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陈自姚

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇深能级
  • 1篇双异质结
  • 1篇能级
  • 1篇发光
  • 1篇发光管
  • 1篇GAALAS...
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇陈自姚
  • 1篇张桂成
  • 1篇吴征

传媒

  • 1篇电子科学学刊

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
1989年
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
张桂成吴征陈自姚周炳林
关键词：发光管双异质结GAAS
全文增补中
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共1页<1>
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