高秀英
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：电子科技大学物理电子学院更多>>
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- CsMgX<,3>（X=C1，Br，I）中掺V<'2+>的自旋哈密顿参量的理论研究
- 电子顺磁共振(EPR)谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物局部结构、光学和磁学性质等的有力工具。EPR谱常用自旋哈密顿参量(零场分裂，g因子和超精细结构常数A因子等)描述。
对晶体中3d3离子(如V2+，C...
- 高秀英
- 关键词：电子顺磁共振自旋哈密顿参量电子能级
- 文献传递
- LiF和AgCl中四角的V^(2+)中心的缺陷结构研究被引量：1
- 2006年
- 基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离?Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。
- 高秀英邬劭轶魏望和颜微子
- 关键词：电子顺磁共振
- LaSrAlO_4中Cu^(2+)的自旋哈密顿参量的理论分析被引量：4
- 2007年
- 根据晶体场理论,利用3d^9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式,对掺Cu^(2+)的LaSrAlO_4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析。其中的四角晶场参量D_s、D_t由重叠模型和杂质中心的局部结构计算,A因子公式中的芯区极化常数κ≈0.286。所得到的计算值与实验符合较好,并从理论上确定了A//为负值。
- 魏望和邬劭轶高秀英颜微子
- 关键词：晶体场理论电子顺磁共振
- CsMgX<sub>3</sub>（X=Cl,Br,I）中掺V～（2+）的自旋哈密顿参量的理论研究
- 电子顺磁共振（EPR）谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物局部结构、光学和磁学性质等的有力工具。EPR谱常用自旋哈密顿参量（零场分裂,g因子和超精细结构常数A因子等）描述。对晶体中3d<sup>3</sup>离子(如...
- 高秀英
- CsMgX3(X=Cl,Br,I)中掺V～(2+)的自旋哈密顿参量的理论研究
- 电子顺磁共振(EPR)谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物局部结构、光学和磁学性质等的有力工具。EPR谱常用自旋哈密顿参量(零场分裂,g因子和超精细结构常数A因子等)描述。 对晶体中3d离子(如V,Cr等)的EPR实...
- 高秀英
- 关键词：KBR
- 文献传递
