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黄良喜

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇偏置
  • 5篇SOI器件
  • 4篇阈值电压
  • 4篇阈值电压漂移
  • 4篇SOI
  • 4篇掺杂
  • 3篇漂移
  • 2篇电荷
  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇有源
  • 2篇实时监控
  • 2篇陷阱电荷
  • 2篇泄漏电流
  • 2篇漏极
  • 2篇界面态
  • 2篇介质层
  • 2篇抗辐射
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路技术

机构

  • 14篇北京大学

作者

  • 14篇黄良喜
  • 12篇安霞
  • 12篇黄如
  • 7篇武唯康
  • 7篇谭斐
  • 5篇冯慧
  • 5篇杨东
  • 5篇张兴

传媒

  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法
本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个...
黄如武唯康安霞谭斐黄良喜冯慧张兴
文献传递
抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括：衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、轻掺杂漏LDD区以及防泄漏区；防泄漏区凹陷在埋氧层内，并且位于半导体体区之下...
黄如谭斐安霞黄良喜武唯康张兴
文献传递
分离SOI器件中两种效应导致阈值电压漂移的方法
本发明公开了一种分离HCI直流应力下SOI器件阈值电压漂移量的方法，属于半导体可靠性测试领域。该方法在SOI？PMOSFET栅端和漏端同时加应力偏置下将HCI直流应力下HCI效应与NBTI效应对阈值电压漂移量影响分离，分...
安霞冯慧黄良喜黄如
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从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法
本发明公布了一种从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法，用于在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小，其特征是，分别在S...
杨东黄良喜
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一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两...
黄如谭斐安霞武唯康黄良喜
文献传递
超深亚微米SOI PMOS器件可靠性与小尺寸准SOI器件总剂量辐射效应研究
SOI(Silicon On Insulator)CMOS器件由于可以实现全介质隔离、避免闩锁效应、减小寄生电容和泄漏电流以及具有优良的电学特性而在低压低功耗电路、存储器等应用中极具竞争力。然而，SOI器件中的浮体效应和...
黄良喜
关键词：总剂量辐射效应
基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
2014年
自热效应SHE(self-heating effect)是SOI MOSFETs可靠性研究的关键问题之一.在热载流子注入HCI(hot carrier injection)应力下会导致自热效应加剧,低估器件工作寿命,使得寿命预测不准.本文提出了一种基于直流HCI应力下的0.18μmPD-SOINMOSFETs可靠性寿命预测方法.通过栅电阻法提取沟道中因自热效应产生的温度,采用自热修正后的衬底电流/漏电流比率模型预测PD-SOI NMOSFETs在正常工作电压下的寿命值,预测结果与未消除自热影响预测出的寿命值存在较大差异,说明自热修正在寿命预测中不可忽略,否则会低估器件的工作寿命.
冯慧安霞杨东谭斐黄良喜武唯康张兴黄如
关键词：自热效应热载流子注入效应热电阻SOI
一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法
本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两...
黄如谭斐安霞武唯康黄良喜
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一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法
本发明公开了一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法，属于半导体器件可靠性测试领域。该方法将NBT应力偏置中栅端的直流电压信号源变为脉冲信号源，在不同时间NBT应力后，采用电荷泵法测得衬底电流，即时监控因NBTI效应...
安霞杨东黄良喜黄如
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抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括：衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、轻掺杂漏LDD区以及防泄漏区；防泄漏区凹陷在埋氧层内，并且位于半导体体区之下...
黄如谭斐安霞黄良喜武唯康张兴
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