丁凯凯
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 高热流器件热设计及真空可靠性研究
- 热失效是电子元器件重要的失效机理之一,高热流器件由于其发热量大,常规的热控制方法根本满足不了芯片的散热要求,由热引起的可靠性问题变的更加突出。同时,由于真空环境中器件的热传导和热对流都明显降低,只能通过热辐射传递热量,较...
- 丁凯凯
- 关键词：散热方式
- 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法
- 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一...
- 冯士维张光沉乔彦斌郭春生丁凯凯
- 一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置
- 本实用新型涉及一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置，属于电子器件的生产测量领域。装置特征在于：被测器件置于一真空系统中，该真空系统留有接线柱与外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；被测器件通...
- 冯士维乔彦彬郭春生张光沉丁凯凯
- 文献传递
- 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法
- 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一...
- 冯士维张光沉乔彦斌郭春生丁凯凯
- 文献传递
- 大气与真空下功率VDMOS散热特性研究被引量：3
- 2011年
- 针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型。真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃。找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据。分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施。
- 丁凯凯冯士维郭春生刘静
- 关键词：热分析功率VDMOS真空可靠性热设计
