刁宏伟
- 作品数：120 被引量：281H指数：9
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 一种电容式等离子体电极的上电极
- 一种电容式等离子体电极的上电极，为轴对称结构，分为上盖及直筒(25)两部分，上盖及直筒(25)焊接为一体。上盖包括两个直径不同金属直筒、两个内外径不同金属圆环及第一绝缘环(7)。上盖中，小直径金属直筒(41)、小内径金属...
- 刁宏伟王文静赵雷周春兰王光红
- 氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究被引量：7
- 2011年
- 热氧化生长的SiO2薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧化后的正金字塔太阳电池暗反向电流-电压呈现"软击穿"现象,并联电阻明显下降.研究结果表明引起这些现象的原因在于氧化正金字塔表面会导致在体内形成位错型缺陷,这些缺陷能够贯穿整个pn结,导致太阳电池的并联电阻下降,同时载流子在位错型缺陷在能隙中引入的能级处发生复合,导致空间电荷区复合电流增加.通过酸性溶液对织绒表面进行化学腐蚀之后能够减少缺陷的形成.
- 周春兰励旭东王文静赵雷李海玲刁宏伟曹晓宁
- 关键词：热氧化位错太阳电池
- 高开路电压纳米非晶硅太阳电池
- 本文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(T=170℃),用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层,经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/...
- 胡志华廖显伯刁宏伟曾湘波徐艳月孔光临
- 关键词：开路电压PECVD
- 文献传递
- 非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟被引量：24
- 2005年
- 运用AMPS(AnalysisofMicroelectronicandPhotonicStructures)模拟分析了TCO p-a-SiC :H i-a-Si:H n-a-Si:H metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p i界面的价带失配以及TCO p ,n metal界面接触势垒对电池光电特性的影响 .分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J- V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因 .
- 胡志华廖显伯刁宏伟夏朝凤许玲曾湘波郝会颖孔光临
- 关键词：非晶硅太阳电池计算机模拟
- 一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法
- 本发明涉及光伏组件回收技术领域，尤其涉及一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法。本发明提供了一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法，包括以下步骤：将晶硅异质结太阳电池在碱性溶液中进行浸泡，得到金属银栅；将所述金属银栅...
- 赵雷刁宏伟王文静
- 纳米硅(nc-Si:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟
- 本文运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n-型纳米硅(n<'->-nc-Si:H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.结果显示,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(V<...
- 胡志华云南师范大学太阳能研究所(中国昆明)廖显伯刁宏伟曾湘波徐艳月张世斌孔光临
- 关键词：太阳电池计算机模拟光伏特性
- 文献传递
- 一种PECVD喷淋电极
- 一种PECVD喷淋电极，所述的电极（5）外形为圆桶形，上部有开口，下部有底；电极（5）的内部空间被带有通孔的初级气体匀气板（2）分成上下两部分，下部空间为初级气体缓冲室（1），上部空间为二级气体缓冲室（3）。初级气体缓冲...
- 刁宏伟王文静赵雷周春兰李海玲陈静伟闫宝军
- 在HNO3/HF混合液中反应副产物对腐蚀特性的影响被引量：5
- 2010年
- 在多晶硅制绒中,通过调整HNO_3、HF和水或醋酸的比例可以很好地控制制绒的过程并得到理想的绒面。但是在腐蚀过程中随着HNO_3、HF和硅的消耗会产生大量的副产品(如H_2SiF_6,HNO_2、N_2O_3等),该文通过在反应腐蚀液中预溶解一些硅的方法研究了反应副产品对制绒特性的影响。发现随着预溶硅的增加,在富HNO_3溶液中反应速度出现了先上升后下降的趋势,而在富HF的溶液中反应速度出现了线性下降。最后,针对反应副产物亚硝酸对制绒特性的影响进行了分析。
- 李海玲王文静周春兰赵雷刁宏伟
- 关键词：腐蚀速率表面形貌
- 一种太阳电池制备用的前级真空泵保护装置
- 一种太阳电池制备用的前级真空泵保护装置。所述的保护装置包括金属波纹管(8)、截止阀(9)、两组过滤器(10)和压力检测装置(11)。两组过滤器(10)并联，过滤器(10)进气口的一端通过截止阀(9)与金属波纹管(8)相连...
- 刁宏伟王文静赵雷周春兰李海玲
- 文献传递
- 应用于太阳电池的单晶硅上化学镀镍工艺被引量：3
- 2010年
- 研究了在P型单晶硅上扩散的N区发射极上选择性化学镀镍工艺,获得了较为优化的化学镀工艺过程,得到了均匀致密的镀层。其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸浸泡和HF处理以及氯化钯的活化方法,使得镀层质量得以提高。进行了合金化处理温度对合金层的电阻率影响的研究,结果发现在N_2气氛下330℃的热处理将会促进具有最低方块电阻的Ni-Si合金的形成。在方块电阻为45Ω/□的发射极上,化学镀后得到了方块电阻为2Ω/□的Ni-Si合金层。
- 周春兰刘维王文静李海玲赵雷刁宏伟
- 关键词：单晶硅电接触化学镀镍
