刘明登
- 作品数：9 被引量：19H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制被引量：1
- 1991年
- 本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了既能完全抑制多晶成核又能实现侧向生长的最佳工艺条件.根据实验中测得的临界成核时间及沉积自由区宽度,采用间歇生长技术在20μm宽的SiO_2条上完全抑制了多晶成核,而加入 Br_2的生长/腐蚀循环工艺则在 30μm宽的SiO_2上完全抑制了多晶成核,为获得高质量的SOI材料打下了良好的基础.
- 阎春辉刘明登全宝富朱袁正张旭光王阳元
- 关键词：SOI结构二氧化硅SI晶核
- 用HF-醇溶液法制备多孔硅的新方法
- 1993年
- 本文采用HF-醇溶液法制备了多孔硅.实验表明,它提高了多孔硅中的游离氟离子浓度,改善了电解液与硅片的润湿性,有利于形成均匀的多孔硅;在非光照条件下,可制成N型多孔硅.
- 李晓天刘明登王兢刘国范
- 关键词：多孔硅孔隙率
- LPE法生长GaP/Si材料初探
- 1993年
- 用普通的液相外延(LPE)方法,在Si衬底上生长了厚约10μm的GaP外延层,并对以Ga,In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较.结果表明,Si在Ga中溶解度很大,Ga不适合做熔体;In为熔体时生长出InGaP合金,Si含量较高,而且出现化学计量比偏离现象;Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In熔体,而且GaP符合化学计量比.
- 邓希敏王兢刘明登
- 关键词：液相外延异质结磷化镓硅
- 不同制备方法对LaFeO_3材料及其性能影响的研究被引量：1
- 1990年
- 本文用不同方法合成了 LaFeO_3稀土复合氧化物材料,分析它们的结构和性质,并将其制成相应的气敏元件对乙醇气体进行检测。实验证明,不同合成方法对材料本身的性能及元件的气敏性均产生较大影响。
- 阎卫平孙良彦刘明登秦玉春
- 关键词：LAFEO3气敏元件
- 全文增补中
- 溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延
- 本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的外延工艺。其目的在于抑制半导体硅外延中自掺杂效应。本发明采用浓硫酸脱水溴强腐蚀迁移背面封闭，硅烷和四氯化硅混合源硅外延。其特点是常压外延、设备简单、操作方便、工艺周期短、生长速率快...
- 刘明登汤广平全宝富
- 文献传递
- 溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延
- 本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的外延工艺。其目的在于抑制半导体硅外延中自掺杂效应。本发明采用浓硫酸脱水溴强腐蚀迁移背面封闭，硅烷和四氯化硅混合源硅外延。其特点是常压外延、设备简单、操作方便、工艺周期短、生长速率快...
- 刘明登汤广平全宝富
- 双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性
- 1992年
- 本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶薄膜。
- 缪国庆刘明登
- 关键词：硅SOI结构
- 稀土钙钛矿型乙醇敏感材料的特性被引量：9
- 1991年
- 本文用共沉淀法制备出LnMO_3(Ln=La,Sm,Nd;M=Fe,Co,Ni)系列材料,分析了材料的结构,并制成相应的元件,对乙醇、汽油等气体进行了检测。结果表明,掺入不同的稀土元素将影响Fe—O问的相互作用;在与还原性气体接触时,表面吸附氧起着十分重要的作用。
- 阎卫平孙良彦刘明登李万成
- 关键词：稀土元素钙钛矿型气敏元件乙醇
- 卧式MOCVD反应器内涡旋分布数值模拟被引量：8
- 1993年
- 本文用有限元法,通过求解耦合的动量、能量微分方程组,对卧式冷壁MOCVD反应器内气体流动出现的涡旋分布进行了数值模拟,文中考虑了热浮力及反应器几何参数对涡旋分布的影响,同时讨论了涡旋发生与无量纲参数Gr、Re的比值Gr/Re^2的关系。计算结果表明,适当控制比值Gr/Re^2可以避免涡旋产生,从而为获得均匀生长速率提供了理论指导。本文的方法可用于类似地二维或轴对称流动涡旋分布的数值模拟。
- 金希卓丛志先刘明登
- 关键词：MOCVD反应器数值模拟
