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刘琦

作品数:250 被引量:63H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信理学电气工程更多>>

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  • 14篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2003
250 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备
本发明提供一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备。存储单元包括:两个选通晶体管、两个放大晶体管以及两个阻变存储器;其中,第一阻变存储器的一端与第一选通晶体管的漏极相连,另一端与位线相连,第一选通晶体管的源极与源线相...
窦春萌王雪红钱其昌王琳方叶望刘琦刘璟刘明
文献传递
提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法
本发明公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态;以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器,直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态。根据本...
刘明连文泰龙世兵吕杭炳刘琦
溅射硅基铜膜厚度与应力关系研究被引量:4
2003年
采用光学相移法 ,对不同厚度硅基铜膜在特定退火温度 (2 0 0℃ )下的应力变化进行了研究。研究表明 :膜厚在10 3~ 2 2 8nm之间的平均应力和应力差的变化比较小 ,应力分布比较均匀。
吴桂芳宋学平王荣刘琦孙兆奇
关键词:退火温度膜厚应力
一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法
本发明公开了一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法,包括:衬底预备;光刻形成惰性电极图形;电子束蒸发惰性电极金属;剥离形成惰性电极;套刻形成活性电极图形;电子束蒸发活性电极金属;剥离形成两端电极平面器件;以及在电场激励下形成银金...
孙海涛杨洪璋路程刘琦吕杭炳龙世兵谢常青刘明
文献传递
异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真被引量:2
2007年
对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性.
胡媛代月花陈军宁柯导明刘琦
关键词:LDMOS器件
非易失性存储方法及装置
本公开提出了一种非易失性存储方法及装置;其中,该非易失性存储方法,包括:将易失性电阻转变器件作为非易失性存储的存储单元;以及控制并读取所述易失性电阻转变器件导电通路的断裂程度,由此实现非易失性存储。本公开采用易失性电阻转...
刘琦赵晓龙吴祖恒刘宇张凯平路程张培文赵盛杰姚志宏余兆安吕杭炳刘明
文献传递
复合多晶硅栅LDMOS的设计被引量:1
2006年
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材料,D-gate用低功函数N型多晶硅材料。MEDICI模拟结果表明,该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度,提高器件的跨导和截止频率;同时,还能够提高器件的击穿电压,并减小器件的热载流子效应。
刘琦柯导明陈军宁高珊刘磊
关键词:跨导截止频率功函数LDMOS热载流子效应
阻变存储器
本发明公开了一种阻变存储器,包括由上而下依次层叠设置的第一金属层、阻变功能层、具有低迁移率的材料层以及第二金属层,其中,所述具有低迁移率的材料层上设置有一个以上通孔。本发明提供的阻变存储器,可以控制导电细丝的大小。由于导...
卢年端姜文峰李泠耿玓刘琦吕杭炳刘明
自旋电子器件、SOT-MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路
本发明公开了一种自旋电子器件、SOT‑MRAM存储单元、存储阵列以及存算一体电路,所述自旋电子器件包括铁电/铁磁异质结构、磁隧道结以及设置在所述铁电/铁磁异质结构和所述磁隧道结之间的重金属层;所述铁电/铁磁异质结构包括层...
邢国忠林淮路程刘琦吕杭炳李泠刘明
文献传递
提高氧化镓材料导热性的方法
本发明提供了一种提高氧化镓材料导热性的方法,包括:在氧化镓衬底上外延单晶氧化镓薄膜;利用刻蚀工艺结合二维材料转移的方式将单晶氧化镓薄膜转移至热导率大于200W/m·K且与半导体兼容的衬底材料上,得到形成于上述衬底之上的单...
龙世兵何启鸣董航刘琦吕杭炳刘明
文献传递
共25页<12345678910>
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