您的位置： 专家智库 > >

周咏东

作品数：29 被引量：33H指数：4
供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）物理学系更多>>
发文基金：江苏省教委自然科学基金高等学校国家重点实验室和教育部重点实验室访问学者专项基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 6篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 11篇HGCDTE
  • 10篇发光
  • 9篇CDTE
  • 8篇多孔硅
  • 8篇光致
  • 8篇光致发光
  • 8篇红外
  • 6篇碲化镉
  • 6篇溅射
  • 6篇ZNS
  • 5篇离子注入
  • 5篇溅射沉积
  • 4篇探测器
  • 4篇光发射
  • 4篇半导体
  • 3篇钝化
  • 3篇阳极
  • 3篇阳极氧化
  • 3篇可见光发射
  • 3篇红外探测

机构

  • 25篇中国科学院
  • 8篇苏州大学
  • 3篇南京大学
  • 3篇物理科学与技...
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇苏州新业电子...

作者

  • 29篇周咏东
  • 16篇方家熊
  • 10篇金亿鑫
  • 9篇汤定元
  • 5篇李言谨
  • 5篇赵军
  • 4篇龚海梅
  • 3篇陆慧庆
  • 2篇吴小山
  • 2篇靳秀芳
  • 2篇沈杰
  • 2篇范叔平
  • 1篇夏冠群
  • 1篇吴彩云
  • 1篇王继元
  • 1篇季小兵
  • 1篇梁帮立
  • 1篇范广宇
  • 1篇徐国森
  • 1篇赵军

传媒

  • 6篇红外与毫米波...
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇光子学报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇红外技术
  • 2篇第三届中国功...
  • 1篇光学学报
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇中国光学学会...
  • 1篇2000年中...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇"98全国材...
  • 1篇第九届全国凝...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1999
  • 6篇1998
  • 3篇1997
  • 7篇1996
  • 3篇1995
共 29 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
未抛光多晶硅表面阳极氧化后的可见光发射
1995年
用制备发光多孔砖的常规电化学方法，在未抛光多晶硅表面制备了均匀发射可见光的样品。光致发光实验表明：多晶硅表面上的样品可以产生多孔硅特征光致发光。用扫描电镜对此样品及常规多孔硅的微结构做了研究，结果表明：两种样品的微结构有很大差别，多晶硅表面上的样品只有两层结构，即表面层和多晶硅衬底，而没有形成多孔层。
周咏东金亿鑫
关键词：多孔硅光致发光多晶硅阳极氧化硅片
CdTe的低温沉积及其实验表征
周咏东方家熊
关键词：CDTE
文献传递
Au/ZnS/HgCdTe MIS器件的制备及其电学特性测量
周咏东方家熊
关键词：半导体器件化合物半导体
Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究
2001年
通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表明 :溅射沉积介质膜 Cd Te+Zn S对 Hg Cd Te的表面钝化已经可以满足 Hg Cd
周咏东方家熊李言谨龚海梅吴小山靳秀芳汤定元
关键词：HGCDTE红外焦平面MIS器件碲化镉
电化学引起Si：Er^（3＋）材料1．54μm发光增强
1995年
利用７７Ｋ红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Ｓｉ：Ｅｒ（３＋）样品的光致发光影响．实验表明：电化学过程除在Ｓｉ：Ｅｒ（３＋）样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外，还使Ｓｉ：Ｅｒ（３＋）样品中Ｅｒ（３＋）的１．５４μｍ光致发光效率明显提高，且Ｅｒ（３＋）发光峰增宽，次峰更丰富．
周咏东金亿鑫李仪蒋红李菊生
关键词：离子注入阳极氧化光致发光深能级
表面处理对CdTe Raman散射谱的影响
1997年
利用傅利叶变换喇曼散射技术研究了CdTe表面的Raman散射谱，观察到了CdTe表面光学声子（TO、LO）的一级、二级斯托克斯、反斯托克斯Raman散射峰。实验同时还研究了经过机械抛光、化学机械抛光、化学腐蚀等不同表面处理后的CdTeRaman散射谱。实验表明Raman散射方法除可以用来表征晶体表面的完整性外，还能有效地探测样品的表面沾污情况。总的来说Raman散射技术有希望成为器件工艺过程中的一种表面无损检测手段。
周咏东方家熊沈杰赵军陆慧庆汤定元
关键词：碲化镉表面处理
CdTe钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度的实验研究被引量：1
2000年
利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长.在同一HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧化膜进行表面钝化.利用光电导衰退测量技术测量了两种不同表面钝化的薄HgCdTe晶片的非平衡载流子(少数载流子)寿命,并通过光电导衰减信号波形的拟合,得到两种不同表面钝化的HgCdTe表面复合速度.实验结果表明。
周咏东赵军龚海梅李言谨方家熊
关键词：碲化镉非平衡载流子
CdTe拉曼散射的温度淬灭被引量：1
1997年
利用傅里叶变换拉曼散射技术研究了ＣｄＴｅ表面的拉曼散射信号与激发光功率的关系，并对实验结果进行了分析和定性解释。
周咏东方家熊沈杰赵军陆慧庆汤定元
关键词：傅里叶变换拉曼散射激光退火碲化镉
CdTe Raman散射的温度淬灭
傅里叶变换Ｒａｍａｎ散射技术研究了ＣｄＴｅ表面的Ｒａｍａｎ散射信号与激发光功率的关系，观察到了Ｒａｍａｎ散射信号的温度淬灭和ＣｄＴｅ表面的激光退火现象，实验中没有观察到Ｒａｍａｎ散射峰的移动。
周咏东方家熊
关键词：半导体材料傅里叶变换散射碲化镉喇曼散射
CdTe钝化介质膜的溅射沉积及其X射线光电子能谱研究被引量：1
2001年
用Ar+ 束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低温沉积生长。用X射线光电子能谱 (XPS)分析技术对溅射沉积CdTe薄膜以及CdTe体晶中的Cd元素、Te元素化学环境进行了对比实验研究。实验表明 :溅射沉积CdTe薄膜具有很好的组份均匀性 ,未探测到有元素 (Cd、Te)沉积存在。
周咏东李言谨吴小山徐国森方家熊汤定元
关键词：CDTE离子束溅射沉积X射线光电子能谱
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0