2025年3月11日
星期二
|
欢迎来到叙永县图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
周炜捷
作品数:
25
被引量:0
H指数:0
供职机构:
上海集成电路研发中心
更多>>
相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
电气工程
更多>>
合作作者
康晓旭
上海集成电路研发中心
李铭
上海集成电路研发中心
胡正军
上海集成电路研发中心
陈寿面
上海集成电路研发中心
赵宇航
上海集成电路研发中心
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
25篇
中文专利
领域
3篇
电子电信
1篇
电气工程
1篇
自动化与计算...
主题
11篇
刻蚀
7篇
干法刻蚀
5篇
金属
5篇
衬底
4篇
电极
4篇
探测器
4篇
平坦化
4篇
清洗方法
4篇
牺牲层
4篇
硅衬底
4篇
半导体
3篇
淀积
3篇
湿法
3篇
湿法刻蚀
3篇
介电
3篇
介电材料
3篇
硅片
2篇
单片式
2篇
等离子体处理
2篇
地线
机构
25篇
上海集成电路...
作者
25篇
周炜捷
12篇
康晓旭
10篇
李铭
9篇
胡正军
6篇
赵宇航
6篇
陈寿面
4篇
袁超
2篇
姚嫦娲
2篇
胡少坚
2篇
任铮
2篇
曹永峰
2篇
周伟
2篇
朱建军
2篇
王勇
2篇
叶红波
年份
1篇
2020
1篇
2019
8篇
2018
2篇
2017
4篇
2016
2篇
2015
2篇
2014
1篇
2013
2篇
2011
2篇
2010
共
25
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法
本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法,在超低介电材料的双大马士革集成工艺中,通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用,在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后,再采用无应力电化...
胡正军
李铭
陈寿面
赵宇航
周炜捷
文献传递
平坦牺牲层和MEMS微桥结构的制造方法
本发明提供平坦牺牲层和MEMS微桥结构的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底上设置有介质层,在所述介质层中设置有插塞;沉积过渡层和顶层金属层,以覆盖所述介质层和所述插塞;图案化所述顶层金属层和过渡层形成顶层金属图案和图案化...
康晓旭
周炜捷
李铭
文献传递
硅片清洗方法
本发明公开了一种硅片清洗方法,包括:提供待清洗硅片,对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率,从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。
胡正军
姚嫦娲
周炜捷
一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法
本发明揭示一种半导体器件制程中的台阶的图形化方法,所述半导体器件制程中的台阶的图形化方法包括如下步骤:提供一半导体基板,所述半导体基板包括至少一台阶;在所述半导体基板上形成第一材料层,所述第一材料层覆盖所述台阶;在所述第...
康晓旭
周炜捷
文献传递
含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法
一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法,包括提供一个半导体衬底,在半导体衬底上淀积双重图形第二硬掩膜层;在双重图形第二硬掩膜层上覆盖一层含硅的有机硬掩膜层作为双重图形第一硬掩膜层;在双重图形第一硬掩膜层上覆...
姚树歆
周炜捷
文献传递
改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构及方法
本发明提供了一种改善台阶侧壁的薄膜刻蚀不完全的结构及方法,该结构包括:在台阶侧壁依次设置的且高度递减的至少一个支撑层,使得支撑层形成的结构的顶部形成递减缓变坡度,从而使得后续沉积的薄膜在台阶侧壁处也呈缓变递减的坡度,台阶...
康晓旭
李铭
周炜捷
文献传递
一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法
本发明公开了一种无应力电化学抛光铜时去除二氧化硅的方法,在超低介电材料的双大马士革集成工艺中,通过将传统的铜化学机械抛光法与新型的铜无应力电化学抛光法相结合运用,在采用化学机械抛光粗研磨去除大部分铜层后,再采用无应力电化...
胡正军
李铭
陈寿面
赵宇航
周炜捷
文献传递
电容结构及其制备方法、可调节谐振波段的红外探测器
本发明提供了一种电容结构及其制备方法、可调节谐振波段的红外探测器,包括:位于硅衬底上的底部电极层,作为上电极层的引出极;在底部电极层的边缘区域上具有第一导电结构;位于底部电极层上方且与底部电极层之间具有间距的下电极层;与...
康晓旭
周炜捷
袁超
文献传递
平坦牺牲层和MEMS微桥结构的制造方法
本发明提供平坦牺牲层和MEMS微桥结构的制造方法,包括:提供衬底,所述衬底上设置有介质层,在所述介质层中设置有插塞;沉积过渡层和顶层金属层,以覆盖所述介质层和所述插塞;图案化所述顶层金属层和过渡层形成顶层金属图案和图案化...
康晓旭
周炜捷
李铭
文献传递
硅片清洗方法
本发明公开了一种硅片清洗方法包括:提供待清洗硅片,对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率,从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。
胡正军
姚嫦娲
周炜捷
文献传递
全选
清除
导出
共3页
<
1
2
3
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张