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GaN基MOSFET及其制备方法: 本发明涉及GaN基MOSFET及其制备方法，可以有效的调节(La2O3)x(SiO2)1-x薄膜与GaN衬底之...; 刘治国高立刚汤振杰夏奕东殷江

不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用: 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形...; 汤振杰刘治国殷江夏奕东李爱东

一种基于聚合物掺杂N-型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管: 本发明公开了一种基于聚合物掺杂N‑型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管，用N‑型有机半导体与聚合物介质混合形成的薄膜替代原本单一的聚合物介质薄膜，通过混合物中N‑型有机半导体在界面处产生的感生电子降低并五苯/聚合物介质界...; 刘珍良于天鹏殷江夏奕东刘治国; 文献传递

一种存算一体化的叠层铁电隧道结: 本发明公开了一种存算一体化的叠层铁电隧道结。该叠层铁电隧道结自下往上的结构为：第一层为半导体衬底，用作底电极；第二层为铁电体；第三层为金属或半导体，用作中间电极；第四层为铁电体；第五层为介电体；第六层为金属，用作顶电极；...; 李智强商尚炀夏奕东殷江

一种用于仿神经器件阵列的主成分分析训练方法: 本发明公开了一种用于仿神经器件阵列的主成分分析训练方法。具体包括以下步骤：S1，先在应用场景下收集数据，并整理为数据集A，对处于工作状态中在线收集到的数据进行处理，得到数据集B；S2，求解XTX的特...; 夏奕东张伦强沈聪

非晶铟锡氧化物薄膜及其在制备阻变存储元件中的应用: 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻...; 蒋坤夏奕东徐波国洪轩殷江刘治国; 文献传递

一种双功能n-型半导体插层并五苯有机场效应晶体管: 一种双功能n‑型半导体插层并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层同时作为修饰层和电荷俘获层，器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极...; 殷江侯舒怡于天鹏夏奕东刘治国

赝弹性银硫系化合物阻变行为的透射电镜研究被引量：1: 2021年; 银硫系化合物由于尺寸可缩减性好、擦写速度快、具有多值存储能力等优点,在阻变存储器介质材料研究中受到广泛关注。但随着介质材料尺寸的不断缩小,材料表/界面结构对器件的性能产生的影响尚不明确。因此从微观尺度上揭示阻变介质材料表/界面对性能影响的相关机理至关重要。本文利用脉冲激光沉积制备了Ag_(10)Ge_(15)Te_(75)薄膜,并在透射电子显微镜中构建了以其为介质的阻变存储器,研究了其阻变过程中微观形貌与物相的演化。实验发现,尺寸在20 nm以下的Ag_(10)Ge_(15)Te_(75)薄膜在被电压脉冲熔断后,能够用"冷焊"的方式重新连接并仍保持阻变特性。当给其施加正向电压时,薄膜中生成Ag_(2)Te多晶颗粒。当挤压拉伸薄膜时,Ag_(2)Te多晶颗粒不会消失。当施加反向电压时,Ag_(2)Te多晶颗粒消失。分析认为,Ag_(10)Ge_(15)Te_(75)薄膜的形变属于Coble赝弹性,Ag_(2)Te多晶的生成与电场诱导沉积有关。实验的结果对于构建新型柔性阻变存储器结构具有一定的指导意义。; 熊雨薇李京仓谭治远朱明芸尹奎波商尚炀魏琦夏奕东孙立涛; 关键词：透射电子显微镜

基于铁电隧道结的编码、记忆固化与识别: 铁电隧道结存储器是一类创新的纳米电子器件，通常采用金属/超薄铁电薄膜/金属三明治结构。几个纳米厚的铁电层作为电子隧穿势垒，其自发极化翻转使得势垒高度明显变化，从而在隧道结中获得高、低两个电阻态。铁电极化的快速翻转能力使得...; 夏奕东

一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管: 一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层；器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层/隧穿层/...; 于天鹏殷江夏奕东刘治国

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夏奕东