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孙长庆

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：南洋理工大学更多>>
发文基金：上海市浦江人才计划项目上海市自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇多孔硅
  • 2篇英文
  • 1篇金属化
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体场
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇表面金属化

机构

  • 2篇华东师范大学
  • 2篇南洋理工大学

作者

  • 2篇孙长庆
  • 2篇李海波
  • 2篇孙卓
  • 2篇潘丽坤

传媒

  • 2篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
制备温度对多孔硅光学特性的影响(英文)
2009年
本文不同的温度下制备多孔硅。通过荧光光谱、光吸收谱、X射线光电子谱研究了多孔硅的光和结构特性。研究结果表明存在着一个制备临界温度343K,当制备温度从临界温度之下提高到临界温度之上时,多孔硅的荧光和光吸收从红移转向蓝移,同时硅2p电子结合能也从减小转向增大。
潘丽坤李海波孙卓孙长庆
关键词：多孔硅
表面金属化对多孔硅光特性的影响(英文)被引量：1
2009年
在室温下使用过滤阴极真空电弧系统在多孔硅表面沉积大约10纳米左右厚度的铜、铝和钛薄膜,并且在真空下800度退火10分钟。多孔硅层是通过电化学腐蚀硅制得。X射线光电子谱、荧光谱,光吸收谱和X射线衍射谱的研究表明退火后,沉积铜和钛的样品出现明显的光吸收红移和硅2p电子能级移动。这是由于在多孔硅表面形成铜和钛的硅化物而引起的晶体场和电子传输变化所造成的。
潘丽坤李海波孙卓孙长庆
关键词：多孔硅金属化晶体场
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