张剑云
- 作品数：26 被引量：43H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程机械工程更多>>
- 含氟气相体系低压生长金刚石的相图计算
- 1999年
- 根据非平衡热力学耦合模型计算得到了C—H—F体系金刚石生长相图,该相图与根据经典平衡热力学计算得到的平衡相图不同,存在金刚石生长区,可以很好地解释在低压C—H—F体系中可以生长金刚石,并与实验结果符合良好。因而对该体系金刚石制备的实验条件选取有指导作用.
- 刘志杰张卫张剑云丁士进王季陶
- 关键词：金刚石气相生长低压相图
- 一个59mW10位40MHz流水线A/D转换器(英文)被引量：2
- 2005年
- 设计了一个工作在3.0V的10位40MHz流水线A/D转换器,采用了时分复用运算放大器,低功耗的增益自举telescopic运放,低功耗动态比较器,器件尺寸逐级减小优化功耗.在40MHz的采样时钟,0.5MHz的输入信号的情况下测试,可获得8.1位有效精度,最大积分非线性为2.2LSB,最大微分非线性为0.85LSB,电路用0.25μmCMOS工艺实现,面积为1.24mm2,功耗仅为59mW,其中同时包括为A/D转换器提供基准电压和电流的一个带隙基准源和缓冲电路.
- 李建严杰锋陈俊张剑云郭亚炜沈泊汤庭鳌
- 关键词：模数转换器低功耗A/D转换器
- 超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究被引量：5
- 2001年
- 详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（ＳｉＯＦ）介质薄膜制备的工艺，并分析了试样的ＦＴＩＲ光谱，发现薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。
- 王鹏飞丁士进张卫张剑云王季陶
- 关键词：化学汽相淀积C-V特性介电常数
- 超大规模集成电路中低介电常数介质研究进展
- 集成电路技术的发展40多年来一直遵循着摩尔定律,即集成电路的集成度每3年提高约4倍,而特征尺寸缩小约1/2.当特征尺寸减小到0.18μm时,互连延迟将超过电路的本征门延迟,成为制约集成电路性能的主要瓶颈之一.为了降低互连...
- 张卫陈玮张剑云丁士进王季陶
- 关键词：集成电路互连延迟化学气相淀积介电常数
- 文献传递
- 非晶含氟聚合物薄膜的热稳定性被引量：4
- 2001年
- 以Ｔｅｆｌｏｎ ＡＦ １６００为原料，用旋涂法制备了非晶含氟聚合物（ＡＦ）薄膜．通过扫描电镜（ＳＥＭ）、傅立叶转换红外（ＦＴＩＲ）光谱和Ｘ射线光电子（ＸＰＳ）光谱等手段对热退火前后的薄膜进行了表征所得薄膜具有无针孔，较光滑和平整的表面，３００℃退火后薄膜表面的均匀性进一步改善。ＡＦ薄膜在３００℃以下具有良好的热稳定性，在４００℃退火后ＣＦ３吸收峰强度稍有降低。在４００Ｃ退火后，其所含的ＣＦ３键合构型显著降低，ＣＦ２、ＣＦ等其它构型没有明显的变化，由于ＣＦ３基团的分解有少量无定型碳生成．
- 丁士进王鹏飞张剑云张卫王季陶张冶文夏钟福
- 关键词：旋涂法热稳定性退火
- 应用于数字视频接收器的低功耗高速流水线模数转换器的研究
- 随着数字机顶盒、数字高清电视和液晶平板电视的迅猛发展，日常消费电子产品中的数字视频解调接收器和视频图像处理信号接收前端的重要模块一模数转换器的应用越来越广泛，而且随着整机产品的功能和性能要求越来越高，功耗低面积小的数字视...
- 张剑云
- 关键词：数字机顶盒片上系统模数转换器视频图像处理数字电视
- 一种新型MOS开关栅增压电路
- 本发明为一种新型的MOS开关栅增压电路。在集成电路朝向深亚微米低压低功耗发展，由于MOS器件的非零导通电阻对开关电容电路的负面效应，遇到了很大的挑战。本发明提出的MOS栅增压电路，使得信号开关器件的栅电压跟输入信号无关，...
- 张剑云张卫
- 文献传递
- 铜与低介电常数a-SiCOF介质作用的俄歇电子能谱表征
- 低介电常数材料取代传统的氧化硅作为互连介质可以降低集成电路的互连延迟,非晶硅碳氧氟(a-SiCOF)是一种新型的超低介电常数材料.本文用等离子体化学气相淀积(PECVD)制备了低介电常数a-SiCOF薄膜.通过俄歇电子能...
- 张卫张剑云陈玮卢红亮任杰丁士进王季陶
- 关键词：化学气相淀积俄歇电子能谱铜
- 文献传递
- 一种用于流水线模数转换器的动态比较器电路结构
- 本实用新型是一种用于流水线模数转换器的动态比较器电路结构。现有技术中的动态比较器电路在输入端需要接上很多参考电路，参考电压的输出会连接到每一级比较器，使比较器动作频繁，影响参考电压的稳定，影响精度并增加设计难度。本实用新...
- 张剑云钱哲弘张卫
- 文献传递
- 低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究被引量：11
- 2000年
- 综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况 ,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性 ,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性 ,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料。
- 丁士进张卫王鹏飞张剑云刘志杰王季陶
- 关键词：低介电常数硅薄膜氧化硅漏电流覆盖度热性质
- 全文增补中
