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文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇碲镉汞
  • 5篇液相外延
  • 3篇远距离
  • 3篇振荡
  • 3篇功率
  • 3篇光学
  • 3篇光学参量
  • 3篇光学参量振荡...
  • 3篇参量
  • 3篇参量振荡器
  • 3篇差频
  • 3篇高功率
  • 2篇液相
  • 2篇液相外延材料
  • 2篇粘液
  • 2篇石墨
  • 2篇太赫兹
  • 2篇抛光
  • 2篇去除方法
  • 2篇碲镉汞材料

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇张娟
  • 7篇魏彦锋
  • 7篇孙权志
  • 4篇杨建荣
  • 4篇陈倩男
  • 3篇黄敬国
  • 3篇周炜
  • 3篇黄志明
  • 3篇褚君浩
  • 3篇杨秋杰
  • 3篇李高芳
  • 3篇姚娘娟
  • 3篇张飞
  • 3篇孙瑞赟
  • 3篇曲越
  • 2篇孙瑞贇
  • 2篇张传杰

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2017
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置
本发明公开了一种减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置。装置包括石墨支架、石墨板、石墨滑块和石墨盖板,石墨板上有衬底槽和母液收集槽,衬底和垫片叠放在衬底槽内。其特征在于:通过控制垫片与衬底的厚度,使其总厚度略小于衬底槽...
魏彦锋杨建荣张娟孙权志
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一种太赫兹差频源远距离主动探测系统
本发明公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统,该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该发明利用高功率太赫兹差频源辐射技...
黄志明黄敬国张娟杨秋杰李高芳周炜曲越姚娘娟张飞褚君浩
减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置
本实用新型公开了一种减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置。装置包括石墨支架、石墨板、石墨滑块和石墨盖板,石墨板上有衬底槽和母液收集槽,衬底和垫片叠放在衬底槽内。其特征在于:通过控制垫片与衬底的厚度,使其总厚度略小于衬...
魏彦锋杨建荣张娟孙权志
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太赫兹差频源远距离主动探测系统
本专利公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统,该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该专利利用高功率太赫兹差频源辐射技...
黄志明黄敬国张娟杨秋杰李高芳周炜曲越姚娘娟张飞褚君浩
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一种太赫兹差频源远距离主动探测系统
本发明公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统,该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该发明利用高功率太赫兹差频源辐射技...
黄志明黄敬国张娟杨秋杰李高芳周炜曲越姚娘娟张飞褚君浩
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碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法
本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法,其特征步骤如下:使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法,在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是:整个过程中清洗干净的碲镉汞...
孙瑞贇杨建荣魏彦锋张传杰孙权志陈倩男张娟陈晓静
Au掺杂HgCdTe材料的光电特性被引量:1
2021年
Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),通过富Hg退火技术来抑制材料中的Hg空位,Hg空位的浓度控制在1~2×10^(15)/cm^(3)。变温霍尔测试表明,退火材料中的受主杂质能级为8~12 meV,并且与退火条件相关。采用Au掺杂材料和离子注入成结工艺制备了截止波长为14μm的甚长波红外焦平面器件,测试结果显示,用Au掺杂取代Hg空位掺杂,可以显著提高红外探测器的光响应率,探测器的内量子效率可以达到95%以上。
魏彦锋孙权志张娟孙瑞赟
关键词:少子扩散长度
一种液相外延衬底化学抛光系统
本实用新型公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽,并设置警铃提醒,当衬底厚度达...
张娟魏彦锋孙权志孙瑞赟陈倩男
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碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法
本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法,其特征步骤如下:使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法,在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是:整个过程中清洗干净的碲镉汞...
孙瑞贇杨建荣魏彦锋张传杰孙权志陈倩男张娟陈晓静
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液相外延衬底化学抛光系统
本发明公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽,并设置警铃提醒,当衬底厚度达到预...
张娟魏彦锋孙权志孙瑞赟陈倩男
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