您的位置： 专家智库 > >

张正海

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇电路
  • 2篇电压
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电路
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇功率管
  • 2篇放大器
  • 1篇电流崩塌
  • 1篇电流崩塌效应
  • 1篇淀积
  • 1篇钝化层
  • 1篇有源
  • 1篇制作方法
  • 1篇势垒
  • 1篇通信
  • 1篇通信技术
  • 1篇无线

机构

  • 4篇华为技术有限...

作者

  • 4篇张正海
  • 4篇张宗民
  • 2篇李朝强
  • 1篇曹伯承

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
GaN衬底、半导体器件及其制作方法
本发明提供一种GaN衬底、半导体器件及其制作方法，GaN衬底包括：GaN基底；AlGaN层，位于GaN基底上；p型导电层，位于AlGaN层的有源区上，用于耗尽AlGaN层上的表面态负电子并中和AlGaN层上的悬挂键。本发...
张正海张宗民曹伯承
文献传递
功率管的偏置电路以及功率放大器、无线通信装置
本发明实施例公开了一种功率管的偏置电路以及设有该偏置电路的功率放大器，属于无线通信技术领域。解决了现有的功率管的偏置电路不能保证严格的上下电顺序，因此功率管存在烧毁的风险的技术问题。该偏置电路中，Vg0通过电压转换单元为...
张宗民李朝强张正海
文献传递
功率管的偏置电路以及功率放大器、无线通信装置
本发明实施例公开了一种功率管的偏置电路以及设有该偏置电路的功率放大器，属于无线通信技术领域。解决了现有的功率管的偏置电路不能保证严格的上下电顺序，因此功率管存在烧毁的风险的技术问题。该偏置电路中，Vg0通过电压转换单元为...
张宗民李朝强张正海
文献传递
一种GaN基HEMT器件及其制作方法
本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，器件中衬底、GaN缓冲层与势垒层由下至上设置，第一钝化层在势垒层上，其包括左半钝化层和右半钝化层，分别位于源极与栅极之间、栅极与漏极之间;第二钝化层在第一钝化层上；第一钝...
张正海张宗民
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0