张淑华
- 作品数：37 被引量：54H指数：5
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- 相关领域：理学文化科学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 原子链耦合石墨烯电子输运性质的第一性原理计算被引量：1
- 2017年
- 基于密度泛函理论,运用非平衡格林函数的方法,对B直线原子链、N直线原子链、Si直线原子链耦合石墨烯纳米带构成分子器件的电子输运特性进行了第一性原理模拟,计算得到3种不同构型分子器件的平衡电导,分别为1.16 G0,0.79 G0,1.16 G0.电荷布局计算结果表明,原子链耦合石墨烯改变了原子链原子的局域态密度,为电子的传输提供了更多的隧穿模式.在0~1.2 V时,对于graphene+5B,graphene+5Si分子器件的电流随着电压的增大而增大,其I-V关系近似为线性关系,表现出金属导电特性;而对于graphene+5N分别在0~0.7 V,0.9~1.2 V时,I-V关系近似为线性,但在0.7~0.8 V时却存在负微分电阻现象.
- 张淑华程晓洪柳福提
- 关键词：原子链石墨烯电子输运
- 碳化铪的弹性与热力学性质
- 2013年
- 运用基于密度泛函理论的超软赝势平面波方法对HfC晶体结构做了几何优化,得到与实验值相符的晶格参数,在压力为0～300GPa时对HfC的弹性常量做了计算,结果表明晶体结构是稳定的;利用准谐德拜模型研究了HfC在0～300GPa压力和0～3 800K温度下的热力学性质,得到:HfC晶体的等容热容、热膨胀系数和熵随温度的升高而增大,随压力的升高而减小,德拜温度随温度的升高而减小,随压力的升高而增大.
- 张淑华程晓洪柳福提
- 关键词：密度泛函理论碳化铪热力学性质
- 酒糟基磁性活性碳制备及其亚甲基蓝吸附机能分析
- 2022年
- 以酒糟为碳源,KOH为活化剂,采用化学共沉淀法制备不同碳铁比(C/Fe3O4)的磁性活性碳材料,并测定不同碳铁比的酒糟基活性碳对亚甲基蓝的除去率、吸附剂的回收率.结果发现,碳铁比为80%的酒糟基磁性活性碳具有最佳的吸附效果,其比表面积是4.37×10^(5) m^(2)/kg,1 mg这种磁性活性碳可吸附248.1 mg亚甲基蓝.机理研究发现,这种材料的吸附机理与准二级动力学模型和Langmuir模型相符.
- 张美琪代文洁吴禹琪郑佳李松秦茂林张淑华吴同
- 关键词：酒糟亚甲基蓝比表面积
- Au-Si_6-Au纳米结点电子输运行为的理论计算
- 2015年
- 运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,对Si6原子链与两半无限Au（100）-3×3电极耦合构成纳米结点的电子输运行为进行了理论模拟,对结点在不同距离下的电导、结合能进行了计算,结果得到当两电极距离为2.219nm时,结点结合能较大,结构比较稳定,此时Si-Si平均键长为0.213nm,Si-Au键长为0.228nm.对于稳定结构结点,平衡电导为1.093G0,电子主要通过Si原子的px与py态电子形成的π键进行传输;在-1.2-1.2V的电压范围内,Si原子链导体具有比较稳定的电导,表现出类似金属的导电特性,其I-V曲线近似为直线关系.
- 程晓洪张淑华柳福提
- 关键词：电子输运第一性原理
- TiO_2薄膜处理水中亚甲基蓝的动力学研究被引量：5
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法制备了纳米TiO2薄膜,并通过XRD对催化剂进行了表征,在自制反应器中对亚甲基蓝进行了光催化降解反应实验.结果表明:TiO2的晶型为锐钛矿型,粒子平均半径为32.9 nm;在亚甲基蓝的初始浓度较低的条件下,初始浓度对光催化的影响基本上符合一级反应动力学模型,起始浓度较大时(>1.171×10-4mol/L),实际反应为零级反应,pH值和紫外光光照强度对反应也有明显的影响.
- 柳福提罗磊张淑华高曾辉
- 关键词：光催化反应动力学亚甲基蓝
- MgB_2的电子结构与光学性质的理论计算被引量：1
- 2013年
- 基于密度泛函理论第一性原理,运用超软赝势平面波广义梯度近似方法,首先对MgB2晶体的结构进行了几何优化,得到与实验相符的晶格参数,然后对能带结构、态密度、复介电函数、折射率、发射谱、吸收谱、能量损失函数与能量的关系进行了理论计算.
- 柳福提张淑华程晓洪曾志强
- 关键词：电子结构光学性质密度泛函理论二硼化镁
- 耦合形貌对Si4团簇电子输运影响的第一性原理计算
- 2018年
- 运用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法,对Si4团簇与Au（100）-3×3两电极以顶位-顶位、顶位-空位、空位-空位三种形貌相连构成的Au-Si4-Au纳米结点的拉伸过程进行第一性原理模拟,计算不同构型纳米结点在不同距离的电导和结合能.讨论耦合形貌、距离对结点电导的影响,结合能的计算表明三种不同耦合形貌结点存在稳定平衡结构,其平衡电导分别为0.71 G0、0.96 G0和2.44 G0,且在-1.2 V-1.2 V的电压范围内,三种不同耦合形貌结点稳定结构表现出类似金属的导电特性,其I-V关系都近似为直线.计算结果表明Si4团簇与电极的耦合形貌、两极距离对纳米结点电子输运有重要影响.
- 柳福提张淑华程晓洪
- 关键词：电子输运
- 硅化镁的电子结构与热力学性质
- 2012年
- 利用密度泛函理论的赝势平面波方法对Mg2Si晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对电子结构、弹性常数与热力学性质进行了第一性原理计算.结果得到Mg2Si是一种带隙为0.2846eV的间接带隙半导体;其导带主要以Mg的3p、3s与Si的3p态电子构成;弹性常量C11=114.39GPa、C12=22.45GPa、C44=42.78GPa;零温度与零压下的德拜温度为676.4K.运用线性响应方法确定了声子色散关系,得到Mg2Si的等容热容、德拜温度、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系.
- 柳福提程晓洪张淑华
- 关键词：电子结构热力学性质
- 立方氮化铝在一定压强下的电子结构与热力学性质被引量：2
- 2012年
- 运用超软赝势平面波第一性原理方法,对立方AlN晶体在0～30GPa的不同压强下进行了结构几何优化,得到平衡晶格参数;在优化结构的基础上计算了电子结构、弹性常数、体弹模量与德拜温度;结果表明立方氮化铝晶体为间接宽带隙半导体,随着压强的增加,晶格参量减小,弹性常数、体弹模量与德拜温度增加,带隙先增大后减小,在7GPa时带隙为5.117eV,达到最大值.
- 张淑华柳福提程晓洪
- 关键词：氮化铝电子结构德拜温度热力学性质
- Mg,Zn掺杂GaN的电子结构与光学性质的计算
- 2019年
- 运用超软赝势平面波第一性原理方法对Mg,Zn掺杂GaN的晶格参数、电子结构与光学性质进行了计算,结果得到GaN晶体掺杂Mg,Zn后晶格常数变大,带隙由2.084eV变为2.157,1.934eV;折射率由2.361增大为5.93,5.81,消光系数峰值向低能方向移动;静态反射率增大,反射峰值增大且位置向高能方向移动;吸收峰值由3.97减小为2.76,2.75,位置向低能方向移动;能量损失峰的位置向低能方向移动.
- 程翔张淑华柳福提
- 关键词：掺杂电子结构光学性质氮化镓
