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徐轶君

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：苏州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇导体
  • 2篇等离子体
  • 2篇低温退火
  • 2篇退火
  • 2篇禁带
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体
  • 2篇感应耦合
  • 2篇半导体
  • 2篇衬底
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇等离子体制备
  • 1篇原子
  • 1篇双频
  • 1篇离子束
  • 1篇刻蚀
  • 1篇硅表面

机构

  • 5篇苏州大学

作者

  • 5篇徐轶君
  • 3篇叶超
  • 2篇吴雪梅
  • 2篇杨燕
  • 2篇黄天源
  • 2篇金成刚
  • 2篇吴明智
  • 2篇诸葛兰剑
  • 2篇余涛
  • 1篇胡佳

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种石墨烯的制备方法
本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底...
诸葛兰剑金成刚余涛徐轶君杨燕黄天源吴明智吴雪梅叶超
文献传递
CHF3双频电容耦合放电等离子体特性研究
2010年
研究了用于SiCOH低介电常数薄膜刻蚀的CHF3气体在13.56MHz/2MHz,27.12MHz/2MHz和60MHz/2MHz双频电容耦合放电时的等离子体性质.发现2MHz低频源功率的增大主要导致F基团密度的增大;而高频频率从13.56,27.12增大到60MHz,导致CF2基团的密度增大和电极之间F基团密度的轴向空间不均匀性增加.根据电子温度的分布规律及离子能量随高频源频率的变化关系,提出CF2基团的产生主要通过电子-中性气体碰撞,而F基团的产生是离子-中性气体碰撞的结果.
胡佳徐轶君叶超
SiCOH薄膜的双频等离子体刻蚀研究
超大规模集成电路中器件密度的提高、特征线宽的减小导致互连线之间的阻容耦合不断增大,从而使信号传输延时、功耗增大、噪声增大。为了解决这些问题,用低介电常数/(low-k/)和超低介电常数/(ultralow-k, k < ...
徐轶君
文献传递
石墨烯的低温等离子体制备及掺杂研究
石墨烯（graphene）是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成的六角形晶格结构的只有一个碳原子厚度的二维薄膜材料。石墨烯非常独特的晶体结构使其拥有非常优异的力学、光学、热学和电学等性质。石墨烯是目前世界上已知最薄却也是最坚...
徐轶君
关键词：石墨烯离子束
文献传递
一种石墨烯的制备方法
本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底...
诸葛兰剑金成刚余涛徐轶君杨燕黄天源吴明智吴雪梅叶超
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