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戴亚伟

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:复旦大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇电极
  • 3篇淀积
  • 3篇原子层淀积
  • 3篇栅压
  • 3篇肖特基
  • 3篇晶体管
  • 3篇GAN
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成器件
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电子束
  • 2篇堆栈
  • 2篇照明
  • 2篇智能照明
  • 2篇石墨烯纳米带
  • 2篇势垒
  • 2篇迁移率
  • 2篇鳍片
  • 2篇微缩

机构

  • 14篇复旦大学

作者

  • 14篇张卫
  • 14篇戴亚伟
  • 14篇孙清清
  • 11篇陈琳
  • 11篇郑亮
  • 3篇周鹏
  • 3篇王鹏飞

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法
本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件,包括:GaN衬底;发光二极管,位于所述GaN衬底上,自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极;以及Fin‑HEMT,位于所述GaN衬底上,包括多个鳍片、栅极...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
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一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明属于晶体管技术领域,具体涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明隧穿场效应晶体管包括:二维材料层;分别位于所述二维材料层两侧的金属源极和金属漏极,金属源极和金属漏极具有不同的功函数,与二维材料层形成极性相反的电...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种GaN基功率二极管及其制备方法
本发明属于半导体功率电子器件技术领域,具体公开了一种GaN基功率二极管及其制备方法。该GaN基功率二极管包括:GaN衬底,具有第一掺杂浓度;GaN外延层,位于所述GaN衬底上,具有第二掺杂浓度,其中,所述第二掺杂浓度小于...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法
本发明属于石墨烯纳米器件技术领域,具体为一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法,适合于石墨烯纳米带Fin-FET器件的大面积制备。具体制备步骤为:先利用常规电子束光刻方法在石墨烯上制备套准标记以及F...
孙清清戴亚伟王鹏飞张卫周鹏
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一种GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开一种面向四维集成的GaN基半导体器件及其制备方法。这种垂直堆栈集成的功率器件表现出高的驱动电流,同时也满足集成电路进一步微缩化的需求。其制备步骤包括:在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠...
戴亚伟陈琳郑亮孙清清张卫
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一种GaN基集成器件及其制备方法
本发明属于光电技术领域,具体为一种GaN基集成器件及其制备方法。本发明器件,包括:GaN衬底;发光二极管,位于所述GaN衬底的发光二极管器件区,自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极;高电子迁移率晶体...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法
本发明属于半导体器件存储技术领域,具体为一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法。本发明依托于原有的阻变存储器三明治结构,即底部电极/阻变功能层/顶部电极结构,利用柔性衬底作为基底,采用低温原子层淀积以及...
孙清清戴亚伟王鹏飞张卫周鹏
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一种GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开一种面向四维集成的GaN基半导体器件及其制备方法。这种垂直堆栈集成的功率器件表现出高的驱动电流,同时也满足集成电路进一步微缩化的需求。其制备步骤包括:在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠...
戴亚伟陈琳郑亮孙清清张卫
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一种GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法
本发明属于半导体技术领域,具体为GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法。本发明的GaN基混合PIN肖特基二极管包括:n型GaN衬底;n型GaN漂移层,位于所述GaN衬底上,其具有多层结构并且自下而上各层掺杂浓度依次递...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
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一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法
本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件,包括:GaN衬底;发光二极管,位于所述GaN衬底上,自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型 GaN层和顶电极;以及Fin‑HEMT,位于所述GaN衬底上,包括多个鳍片、栅...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
共2页<12>
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