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曹健林

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：吉林建筑工程学院更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电极
  • 2篇微电子
  • 2篇镜检
  • 2篇工艺过程
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道长度
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺

机构

  • 2篇吉林建筑工程...

作者

  • 2篇付国柱
  • 2篇曹健林
  • 2篇赵春雷
  • 2篇任伟
  • 2篇郝志文
  • 2篇陈伟利
  • 2篇杨小天
  • 2篇卢毅成
  • 2篇唐巍
  • 2篇杜国同
  • 2篇荆海
  • 2篇王超

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法
本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法，属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极，实现了沟道长度为L，沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区，两侧...
杨小天王超任伟赵春雷唐巍郝志文陈伟利杜国同卢毅成荆海曹健林付国柱
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一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法
本发明涉及一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法，属于微电子技术领域。包括涂胶、前烘、曝光、显影、镜检、后烘、腐蚀、用蒸镀、溅射或电子束蒸发等方法沉积电极，实现了沟道长度为L，沟道宽度为W的薄膜晶体管沟道区，两侧...
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