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李士玲: 作品数：12 被引量：13H指数：2; 供职机构：曲阜师范大学物理工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金博士科研启动基金更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

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光学材料光波导的制备和特性研究: 本论文对光学材料光波导的制备和特性进行研究，主要做了三个方面的研究工作，包括： (1)离子注入制备光波导：研究MeV重离子注入铌酸锂晶体和激光玻璃形成的光波导，及光波导的折射率分布情况、传输损耗和折射率改变可能的产...; 李士玲; 关键词：离子注入质子交换折射率离子掺杂光学材料; 文献传递

质子交换在铌酸锂和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成光波导: 2008年; 报道了用质子交换法在铌酸锂晶体和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成了光波导,在633和1539nm波长下,用棱镜耦合法测量了波导的暗模特性;端面耦合得到波导的近场光强分布,与普通铌酸锂质子交换形成光波导的近场输出相比,输出光强均匀而且比较亮,说明在同化学剂量比的铌酸锂中形成的光波导质量要好些.对普通铌酸锂晶体质子交换光波导,研究了波导退火特性,经过退火,折射率分布由阶跃型转变成渐变型的,退火的时间越长,折射率分布变化的趋势越缓慢;并给出了不同交换时间下样品的RBS/Channeling谱,与未进行交换的样品相比,质子交换铌酸锂的沟道谱的产额有增高,而且交换时间的越长,产额增高的越多.; 李士玲; 关键词：质子交换铌酸锂晶体

混合量热法测定冰熔解热实验的新型测量装置: 2020年; 基于数字控制恒温水浴锅、温度传感器和保温锆沙,设计了冰熔解热测量的一种新型测量装置.利用恒温水浴锅为反应系统提供稳定的恒温环境,有效减少了系统与外界的热量交换;利用温度传感器制成的数显温度计,提高了读数的准确性;采用锆沙作为隔热材料,提升了保温效果.对比改进前后的实验数据可以看出,改进后的实验装置有效减小了实验误差.; 孟帆康甜甜申传英王端良孟祥省李士玲李晓明; 关键词：温度传感器

气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心: 2016年; 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。; 王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民; 关键词：深中心

飞秒激光直写Nd:YVO4晶体包层波导激光: 2024年; 采用飞秒激光(500 kHz重复频率)直写技术,在Nd:YVO4晶体中制备了埋藏晶体表面以下的包层光波导.具体研究了脉冲能量、深度、扫描速度和飞秒激光偏振等写入条件对光波导性能的影响.1.06μm波长的激光在光波导中传播时,光波导的插入损耗低至2.4 dB.利用808 nm波长的激光泵浦,在室温下实现了1064 nm波长发射的连续波导激光器.对不同直径的光波导,均实现了多模光波导和波导激光.直径为60μm的波导产生的最大输出功率为143 mW,斜率效率为21.3%.利用微拉曼光谱对光波导进行了表征,激光直写轨迹处晶格被破坏,伴随折射率降低.; 李士玲宋艳; 关键词：ND:YVO4晶体

硅基LiNbO_3薄膜的光波导性能研究: 2005年; 利用脉冲激光沉积技术在硅衬底上生长高c轴取向LiNbO3薄膜。研究了衬底温度对薄膜质量的影响,发现衬底温度在600℃时获得了具有优异结晶质量的高c轴取向LiNbO3薄膜。采用扫描电镜和透射电镜分别对薄膜的表面、截面进行了分析,结果表明,薄膜表面光滑,晶粒均匀致密,薄膜呈与衬底垂直的柱状结构。棱镜耦合技术制备的LiNbO3薄膜具有优异的光波导性能,光损耗为1.14 dB/cm。; 王新昌叶志镇李士玲曹亮亮赵炳辉; 关键词：脉冲激光沉积硅衬底

飞秒激光直写透明光学材料光波导的研究进展被引量：6: 2012年; 综述了飞秒激光直写光波导的加工过程和表征方法、可直写形成光波导的不同透明光学材料以及直写光波导应用的进展。总结了飞秒激光直写引起的折射率变化与材料有关,同时还依赖于加工的脉冲能量、脉冲宽度、偏振以及扫描速度等。指出飞秒激光微加工在光子器件领域的有很好的应用前景。; 李士玲叶永凯; 关键词：集成光学飞秒激光非线性晶体激光晶体波导放大器

脉冲激光沉积Er:LiNbO_3薄膜及1.54μm光致发光的研究: 2018年; 利用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过双靶(Er_3O_2/LiNbO_3)交替与脉冲激光作用,在SiO_2/Si衬底上制备了c-轴择优取向的Er掺杂LiNbO_3(Er:LiNbO3)薄膜。用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、台阶仪及光致发光(PL)光谱对制备的掺杂薄膜进行了表征。研究了衬底温度、O_2压及沉积时间对Er:LiNbO_3薄膜结晶、表面形貌及PL性能的影响。结果发现,衬底温度低于300℃时制备的Er:LiNbO_3薄膜为非晶膜,随衬底温度升高,薄膜出现(006)衍射峰,并且其强度随衬底温度升高而增大;O_2压变化对利用双靶沉积获得的Er:LiNbO_3薄膜择优取向及(006)衍射峰强度影响不明显;沉积时间越长Er:LiNbO_3薄膜中Er^(3+)浓度越大,但结晶择优取向变差;利用532nm波长激光泵浦,室温下,在1537nm波长处测得很强的光致荧光峰,而且沉积时间越长谱峰越尖锐强度越大。; 邓凤敏李士玲黄泽平

GaInAsP/InP阶梯量子阱中电子-电子的散射率: 2016年; 在有效质量近似下,利用打靶法和费米黄金定则计算出GaxIn1-xAsyP1-y/In P阶梯量子阱中两个及多个电子从第一激发态子带到基态子带的散射率及平均散射率。计算结果表明,电子-电子的散射率和平均散射率随Ga组分和阱宽的增大而升高,随As组分的增大而降低。散射率随电子初态能和外加电场强度的增大而降低,平均散射率随载流子浓度的增大而升高。电子温度对平均散射率的影响不明显,平均散射率随着电子温度的升高而稍微降低。; 王海龙李正胡敏李士玲龚谦

外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响被引量：2: 2017年; 在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。; 陈丽王海龙陈莎李正李士玲龚谦; 关键词：光电子学激子结合能变分法电场