您的位置： 专家智库 > >

杨勇

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧化钛
  • 1篇滞回
  • 1篇滞回曲线
  • 1篇二氧化钛
  • 1篇TI
  • 1篇TIO

机构

  • 1篇清华大学
  • 1篇光电子有限公...

作者

  • 1篇陈旭
  • 1篇杨勇
  • 1篇查良镇
  • 1篇赵来

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
中频反应溅射TiO_2时的Ti靶特性被引量：2
2006年
中频反应溅射沉积二氧化钛膜难于控制的主要原因是钛靶的强金属性,使滞回曲线(hysterrisis curve)过渡区临界.实验结果表明,钛靶电压随氧气流量在非平行的过渡区作非单调的变化。建立在化学吸附模型基础上的模拟结果与实测的滞回曲线基本吻合,并可预期功率对靶电压及过渡区位置的影响。模拟进一步考虑到离子注入的影响,计算结果表明,金属态靶电位的波动是由于反应气体离子的注入和反应气体分子化学吸附之间的相互竞争,从而解释了靶电压在过渡态之间出现升高的实验现象。
杨勇赵来陈旭查良镇许生范垂祯
关键词：二氧化钛滞回曲线
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0