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栾田宝

作品数:3 被引量:8H指数:2
供职机构:大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇多量子阱
  • 2篇溅射
  • 2篇光学
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氧分压
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇光学特性
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 3篇大连理工大学

作者

  • 3篇栾田宝
  • 2篇张庆瑜
  • 2篇鲍善永
  • 1篇董武军
  • 1篇徐兴
  • 1篇刘明
  • 1篇李杰

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
氧分压对Mg掺杂ZnO薄膜结晶质量和光学特性的影响被引量:6
2011年
利用脉冲激光沉积技术,通过改变沉积过程中的氧气压力,在蓝宝石(0001)基片上制备了一系列ZnMgO合金.通过X射线衍射、反射和透射光谱以及室温和变温荧光光谱,对薄膜的结构和光学性能进行了系统地表征,分析了工作气压对ZnMgO合金薄膜的结晶质量及光学特性的影响.研究结果表明:随着沉积环境中氧气压力的增大,ZnMgO薄膜的结晶质量下降,富氧环境下,与蓝宝石晶格平行的ZnO晶粒的出现是导致薄膜结晶质量下降的主要原因;相对于本征ZnO,不同氧气环境下沉积的ZnMgO薄膜的紫外荧光峰均出现了不同程度的蓝移.随着工作气压的增大,ZnMgO薄膜的紫外荧光峰峰位从3.374eV逐渐红移到3.332eV,氧气压力增加导致的ZnMgO薄膜中Mg含量的减少是紫外荧光峰红移主要原因;与ZnO薄膜相比,ZnMgO薄膜的紫外PL光谱存在着明显的宽化现象,而且主要由两个荧光峰构成,分别对应为束缚激子复合过程和局域激子复合过程;ZnMgO薄膜中束缚激子的激活能较大,并随薄膜沉积环境中氧气压力的增加有逐渐增大的趋势.
鲍善永董武军徐兴栾田宝李杰张庆瑜
关键词:ZNO脉冲激光沉积薄膜生长光学特性
氧化处理的蓝宝石基片上沉积的ZnO/MgO多量子阱的结构及光学性质研究被引量:2
2010年
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的Al2O3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的ZnO/MgO多层膜量子阱.利用X射线反射率测量、X射线衍射分析、电子探针显微分析、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了ZnO/MgO多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.XRD以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基片有良好的外延关系.通过X射线反射率测量的结果得到多量子阱的调制周期,结合电子探针测得的Zn/Mg原子比求出了阱层的宽度在8·38nm至21·78nm之间.原子力显微镜测量结果表明样品的表面均方根粗糙随调制周期的减小而从6·4nm增加到21·2nm.低温光致发光光谱显示紫外发光峰对应于束缚激子的辐射复合,拟合给出激子激活能约30meV,并且在阱宽较小的样品中观测到了量子限域的斯塔克效应对应的发光峰.
栾田宝刘明鲍善永张庆瑜
关键词:多量子阱反应磁控溅射
ZnO薄膜及ZnO/MgO多量子阱的制备与表征
ZnO是一种新型的宽带隙半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,理论上可以实现室温下受激发射,被认为是未来紫外光发射器件的理想材料。同时ZnO具有良好的透明导电性、压电性、气...
栾田宝
关键词:磁控溅射ZNO薄膜
文献传递
共1页<1>
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