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梁俊华

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇短波
  • 2篇遥感
  • 2篇遥感仪
  • 2篇遥感仪器
  • 2篇中短波
  • 2篇宽光谱
  • 2篇基底温度
  • 2篇光谱
  • 2篇硅基
  • 2篇硅基底
  • 2篇红外
  • 2篇红外窗口
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇结构和光学特...
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇梁俊华
  • 3篇刘定权
  • 2篇于天燕
  • 2篇章卫祖
  • 2篇秦杨
  • 1篇张风山
  • 1篇刘旭

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于硅基底的宽光谱中短波红外杜瓦窗口及制备工艺
本发明公开了一种用于探测器杜瓦封装焊接的宽光谱中短波红外窗口及制备工艺，该窗口以硅为基底材料，其中一个表面的边缘及侧面是由纳米量级镍铬层作为粘合层镀制一定厚度的金膜，称之为金属化层，用于探测器杜瓦的封装焊接。而该表面中间...
于天燕梁俊华秦杨章卫祖刘定权
文献传递
基于硅基底的宽光谱中短波红外杜瓦窗口及制备工艺
本发明公开了一种用于探测器杜瓦封装焊接的宽光谱中短波红外窗口及制备工艺，该窗口以硅为基底材料，其中一个表面的边缘及侧面是由纳米量级镍铬层作为粘合层镀制一定厚度的金膜，称之为金属化层，用于探测器杜瓦的封装焊接。而该表面中间...
于天燕梁俊华秦杨章卫祖刘定权
氮化铝薄膜的制备与结构和光学特性研究
氮化铝（AlN）是一种宽禁带直接带隙化合物半导体材料,具有高温稳定性、高化学稳定性、高热导率、高弹性模量和非毒性等优异的物理化学性质,并可从半导体到绝缘体改变其电学性质,因此在微电子学、光电子学和电子封装等方面有着广阔的...
梁俊华刘定权张风山刘旭
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