王三海
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江西省主要学科学术和技术带头人培养计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 以炭黑为还原剂制备硅酸锆晶须的研究被引量：2
- 2014年
- 以无水四氯化锆为锆源,正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,氟化锂为矿化剂,乙醇为溶剂,炭黑为还原剂,采用非水解溶胶–凝胶法在700℃制备得到硅酸锆晶须,借助TG-DTA、XRD和TEM等测试手段研究了炭黑加入方式及用量对硅酸锆合成与形貌的影响。结果表明：炭黑以悬浮液形式加入有助于硅酸锆的一维择优生长;炭黑用量为6wt%时能获得直径为30~90 nm,长径比为6~15,沿[001]方向择优生长的硅酸锆晶须。炭黑与氧反应形成二氧化碳和一氧化碳,炭黑加入方式及用量能够调控反应体系的氧分压。降低氧分压有利于形成更多的气相SiF4,这是促进ZrSiO4一维定向生长的基础,但氧分压过低又妨碍ZrSiO4晶体的合成。因此,适当氧分压有利于ZrSiO4晶须的生长。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：炭黑硅酸锆晶须
- 非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须被引量：2
- 2015年
- 以无水四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源、氟化锂为矿化剂、乙醇为溶剂、氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须。借助综合热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等研究了硅酸锆干凝胶在氮气气氛中热处理的物相变化以及成型压力、氟化锆用量对形成硅酸锆晶须的影响,探讨了硅酸锆晶须的形成机理。结果表明:氮气气氛下热处理并不影响硅酸锆的低温合成,成型压力过大或过小、氟化锆用量过多或过少均不利于硅酸锆晶体的一维择优生长,成型压力为2 MPa、氟化锆用量为10%(质量分数)时,硅酸锆晶须直径为0.2~0.4μm、长径比达到15~30。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：硅酸锆晶须非水解溶胶-凝胶法
- 以氟化锆为生长助剂制备硅酸锆晶须的研究被引量：3
- 2015年
- 以无水四氯化锆为锆源,正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,氟化锂为矿化剂,乙醇为溶剂,氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法于800℃制备出硅酸锆晶须,借助XRD、SEM和TEM等测试手段研究了热处理气氛、氟化锂用量、氟化锆的引入方式等工艺因素对硅酸锆晶须形成的影响。结果表明：与空气气氛相比,氮气气氛更加有利于硅酸锆晶体的一维择优生长;矿化剂用量过多或过少均不利于晶须的形成;氟化锆以外置的方式引入能获得直径为0.2~0.4μm,长径比达15~30,沿c轴方向择优生长的硅酸锆晶须。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：非水解溶胶-凝胶法
- 非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须初探被引量：4
- 2014年
- 以无水四氯化锆为锆源，正硅酸乙酯（TEOS）为硅源，氟化锂为矿化剂，乙醇为溶剂，炭黑为还原剂，采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须，研究了炭黑种类与坩埚密封程度对硅酸锆晶须生长的影响。结果表明：相对于比表面积过小的炭黑8001或比表面积过大的超级活性炭，竹炭更利于硅酸锆晶须的生长；采用敞开坩埚方式热处理时能获得直径为30～90nm，长径比为6～15，沿[001]方向择优生长的硅酸锆晶须，半敞开或密封的反应体系均不能形成硅酸锆晶须。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：硅酸锆非水解溶胶-凝胶法晶须炭黑
