田军
- 作品数：14 被引量：7H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术化学工程更多>>
- CMP Study of NiP Substrate of Computer Hard-disk with Alkali Nanometer Slurry
- In this paper, the chemical character of NiP substrate of computer disk is analyzed. New type of alkali slurry...
- 刘玉岭田军唐文栋张国玲王立发
- 关键词：CMPROUGHNESSPLANARIZATION
- 碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响被引量：2
- 2008年
- 阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用。使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓度、表面活性剂以及去除量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理。总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液中的浓度、表面活性剂及去除量的变化规律以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表面状况。在总结和分析这些规律的基础上,对抛光结果进行了检测。经检测得出,改善抛光后的硬盘基板表面质量(Ra=0.3926nm,Rrms=0.4953nm)取得了显著效果。
- 唐文栋刘玉岭宁培桓田军
- 关键词：硬盘基板化学机械抛光抛光液粗糙度波纹度
- 超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法
- 本发明涉及一种超大规模集成电路铜布线表面低压化学机械抛光方法，实施步骤如下：（1）将以下成分按重量%均匀混合制成抛光液：纳米SiO<Sub>2</Sub>磨料：35～80%，去离子水：12～60%，氧化剂：1～3%，活性...
- 刘玉岭刘效岩田军
- 文献传递
- 计算机硬盘NiP基板CMP机理及技术研究被引量：1
- 2008年
- 目前,大多数计算机硬盘采用镍磷敷镀的铝合金作为磁盘盘片,并采用化学机械抛光(CMP)技术作为盘片最终的精抛光。通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其CMP机理,指出在整个反应过程中,化学反应速率是慢过程,它决定了最终的CMP速率,如何使络合反应迅速向右进行将成为CMP的关键。通过分析浆料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料的化学成份是化学作用的关键。通过分析氧化剂、pH值、活性剂及螯合剂的影响作用,研制了新型碱性浆料,其中磨料为硬度较小粒径40 nm的SiO2水溶胶,氧化剂为H2O2,FA/O活性剂与螯合剂,并首次选用有机碱作为pH值调节剂。利用配制的抛光液通过CMP实验确定氧化剂含量为15 ml/L,pH值为11,磨料浓度为20%时,获得的速率可达550 nm/min以上,粗糙度降至1.1 nm。
- 田军刘玉岭檀柏梅牛新环唐文栋
- 关键词：硬盘基板化学机械抛光浆料去除速率粗糙度
- 碱性浆料下计算机硬盘NiP基板CMP机理的分析研究被引量：1
- 2007年
- 通过对镍磷基板的化学性质分析，讨论了其动力学过程，指出化学反应过程是最慢的过程，是CMP的控制过程，分析了浆料在硬盘基板CMP中的重要性，指出浆料的化学成份是化学作用的关键，研制了新型碱性浆料，研究了碱性浆料下镍磷基板CMP机理，通过络合胺化剂的强络合作用实现了碱性浆料下的高凹凸选择性，获得了较高的去除速率；选用小粒径、低硬度的二氧化硅水溶胶磨料实现了较低的表面粗糙度。
- 田军刘玉岭王立发唐文栋
- 关键词：硬盘基板CMP浆料去除速率
- 用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工的研究
- 2009年
- 采用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工，与酸性浆料对比，在平整度PV、均匀度rms和粗糙度RA均获得显著提高。
- 田军刘玉岭唐文栋张国玲王立发
- 关键词：硬盘基板CMP粗糙度平整度
- 极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法
- 本发明涉及一种极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法，实施步骤如下(重量％)：(1)制备防氧化液：将FA/OI表面活性剂0.5-1％、FA/OII型螯合剂0.05-0.5％、FA/OII型阻蚀剂1-10％、余量去离...
- 刘玉岭刘效岩田军
- 用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工的研究
- 本文采用碱性纳米SiO2纳米浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工与酸性浆料对比在平整度PV, 均匀度rms和粗糙度RA均获得了显著的提高。
- 田军刘玉岭唐文栋张国玲王立发
- 关键词：MG(OH)2NI(OH)2FE3O4
- 铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法
- 本发明涉及铌酸锂(LiNbO<Sub>3</Sub>)晶体化学机械抛光(CMP)后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法，CMP刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸...
- 刘玉岭孙鸣田军
- 极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法
- 本发明涉及一种极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法，实施步骤如下(重量％)：(1)制备防氧化液：将FA/OI表面活性剂0.5-1％、FA/OII型螯合剂0.05-0.5％、FA/OII型阻蚀剂1-10％、余量去离...
- 刘玉岭刘效岩田军
- 文献传递
