董恒平
- 作品数：16 被引量：17H指数：3
- 供职机构：南京理工大学泰州科技学院更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家重点实验室开放基金南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 基于单片机控制的智能循迹小车系统
- 本实用新型公开了一种基于单片机控制的智能循迹小车系统，其包括单片机处理模块、金属探测模块、超声波检测模块、红外避障传感模块、红外遥控模块、测速模块、OLED显示模块和PWM电机驱动模块，所述金属探测模块采用LDC1000...
- 王昊孔令荣董恒平周莉莉窦如凤郭燕李波
- 文献传递
- 一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H<Sub>2</Sub>等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH<Sub>4</Sub>、NH<S...
- 董恒平陈坤基李伟徐骏刘增元孙正凤
- 文献传递
- 铝合金表面涂覆纳米氧化铈掺杂氧化钛及其耐腐蚀性研究被引量：2
- 2016年
- 耐腐蚀性对于船用铝合金材料而言至关重要。对铝合金材料进行纳米氧化物涂覆使其具有非常优越的耐腐蚀性。本文以氧化铈为原料,采用草酸沉淀法得到氧化铈溶胶,并将之与氧化钛溶胶混合的方法制备得到铝合金表面的纳米氧化铈掺杂氧化钛,同时对不同掺杂比例的氧化铈和氧化钛对铝合金表面耐腐蚀性的影响进行研究,得到耐腐蚀性最好状态下的纳米氧化物掺杂比和热处理温度。
- 宗波董恒平赵大田
- 关键词：铝合金氧化铈氧化钛耐腐蚀性
- 光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法
- 本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面，被配置为紫外...
- 董恒平陈坤基杨华烽窦如凤井娥林李伟徐骏
- 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法
- 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH<Sub>4</Sub>)和氨气(NH<Sub>3...
- 黄锐陈坤基董恒平王旦清李伟徐骏马忠元徐岭黄信凡
- 文献传递
- 一种机器人底盘
- 本实用新型属于农业机械人技术领域，具体为一种机器人底盘，包括：底架组件、移动组件和设备安装支架，底架组件包括凹型架、升降部件和连接板，所述凹型架两侧均通过升降部件与连接板连接；移动组件与所述连接板连接，所述移动组件包括轮...
- 刘小军董恒平苏磊周香珍周军刘增元牛绿原
- 光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法
- 本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面，被配置为紫外...
- 董恒平陈坤基杨华烽窦如凤井娥林李伟徐骏
- 文献传递
- 非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究被引量：1
- 2017年
- 在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiN_x∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移.
- 董恒平陈坤基宗波井娥林王昊窦如凤郭燕徐骏
- 关键词：缺陷态
- 波长可调a-SiN:O发光薄膜及其高效LED
- 在微电子芯片中,用光互联代替电互联是克服微电子技术“互连瓶颈”,提高信息传输和处理能力的重要的可行途径。硅基单片光电集成应运而生成为当今科学研究的前沿课题之一,它的实现无疑会对计算机、通信和显示等信息技术产生重大深远的影...
- 董恒平
- 关键词：光电集成电致发光薄膜光学
- 非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究被引量：2
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。
- 董恒平陈坤基李伟孙正凤黄敏段欢曹燕王友凤
- 关键词：缺陷态
