董正超
- 作品数:96 被引量:121H指数:7
- 供职机构:南通大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金江苏省教育厅自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 照明区域色温选择性分布的方法
- 本发明公开了一种照明区域色温选择性分布的方法,将灯具光源设置为中心光源和外环光源,中心光源位于灯具光源的中心位置,外环光源均匀对称地分布在中心光源的四周;外环光源内侧与中心光源外侧距离大于等于10毫米;中心光源为全半角宽...
- 宋国华缪建文董正超方靖淮仲崇贵
- 铁磁-超导隧道结中的散粒噪声被引量:9
- 2001年
- 考虑到铁磁层中的自旋极化效应与粗糙界面散射效应 ,利用散射理论 ,讨论铁磁 超导隧道结中的散粒噪声 .计算表明 :磁交换作用可以抑制隧道结系统的平均电流与散粒噪声功率 。
- 董正超邢定钰董锦明
- 关键词:铁磁超导隧道结散粒噪声
- 一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计
- 本发明公开了一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计,通过对二维单原子层单侧半氢化硅烯(Si<Sub>2</Sub>H)进行应变调控,在不影响铁电极化的前提下降低极化翻转势垒,试图实现单侧半氢化硅烯由单纯的极化...
- 张诗俊耿成铎仲崇贵董正超
- 正常金属-绝缘体-d波超导隧道结中的微分电导和束缚态
- 1999年
- 在正常金属 绝缘体 d 波超导隧道结中,考虑到绝缘体中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Bogoliubov- de Gennes (BdG)方程和Bolonder- Tinkham - Klapuijk (BTK)理论模型,计算系统的微分电导。计算表明:(1)我们的理论能充分地展现高Tc 氧化物超导体中零偏压电导峰的实验结果;(2)当绝缘层厚度具有几个相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰,并在超导能隙内形成一些束缚态;(3)粗糙界面散射和绝缘体中的杂质散射都能抹平和压降零偏压电导峰。
- 董正超陈贵宾边秋平李晓薇
- 关键词:D波超导微分电导束缚态超导隧道结
- 正常金属-d波超导隧道结中的准粒子寿命效应
- 1999年
- 考虑到准粒子的有限寿命和粗糙界面散射效应,运用Bogoliubov- de Gennes (BdG)方程和Blonder- Tinkham - Klapw ijk(BTK)理论模型,计算正常金属 d 波超导隧道结中的微分电导和态密度。
- 董正超
- 关键词:隧道结D波超导微分电导
- 一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计
- 本发明公开了一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计,其设计方案包括:基材选取‑键合设计‑Fe原子插层结构设计‑应变,其中,氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构,不仅维度低,尺度小,通过对设计的结构施加双轴应变调控能...
- 张诗俊仲崇贵耿晨铎董正超
- 多层磁性纳米线结构中巨磁电阻的量子解析理论
- 董正超陈贵宾边秋平
- 关键词:巨磁电阻
- f波超导体/绝缘层/f波超导体结中势垒散射对直流Josephson电流的影响
- 2009年
- 通过计算界面势垒散射强度对直流Josephson电流的影响,研究了f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流与温度T和结两侧晶轴方位角之间的关系.我们发现:f波超导体/绝缘层/f波超导体结界面的势垒强度总是抑制结中准粒子的Andreev反射,降低流过f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流.当结两边晶轴方位角相同时,Josephson电流的振荡周期是2π;特别地,当结两边晶轴方位角不同时,其振荡周期不再是2π,而是会随着势垒强度的增大,振荡周期变小.
- 梁志鹏董正超廖艳华
- 正常金属─铁磁绝缘层─S波超导结中的磁散射对量子输运的影响
- 1999年
- 】在正常金属铁磁绝缘层S波超导隧道结中,考虑到铁磁层的磁散射和粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de-Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算隧道结中的准粒子输运系数和微分电导。计算表明:(1)粗糙界面散射和磁散射都能使能隙电导峰变低、零能凹陷升高,随着两散射逐渐增强,还可使能隙峰变为凹陷,零能凹陷变为宽峰;(2)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰。
- 董正超陈贵兵
- 关键词:超导隧道结S波微分电导
- 三角晶格反铁磁CuFeO_2的磁性和电子结构被引量:1
- 2010年
- 基于广义梯度近似(GGA)的密度泛函理论(DFT),通过构造铁磁(FM),阻挫的三角非共线反铁磁(FAFM)、上上下下型共线反铁磁(邙邙邬邬AFM)三种不同磁性构型,从非共线磁性结构计算出发,优化了低温铜铁矿CuFeO2晶体材料的几何结构,研究了磁性结构对电子结构、能隙和磁矩等的作用.计算发现上上下下型反铁磁自旋排列能促进能隙形成,总能降低,磁矩增大.由于上上下下型反铁磁与阻挫三角非共线反铁磁相能量接近,外场的作用容易导致磁性结构相变到阻挫的三角反铁磁态,其电子态密度分布与X光发射光谱测得的结果一致,即具有高自旋的Fe离子3d电子自旋向上的子带中心位于Cu3d能态之下,O2p能态以上,而且配位场理论分析表明Fe离子3d态自旋向下的空轨道为铁电极化提供了有利的化学环境.
- 仲崇贵蒋青董正超方靖淮曹海霞
- 关键词:铁磁反铁磁磁电配位场