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蒲运章

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇探测器
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇INGAAS
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇性能分析
  • 1篇平面型
  • 1篇光电二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇暗电流
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇OEIC
  • 1篇PIN光电探...
  • 1篇HBT
  • 1篇INP
  • 1篇INP/IN...

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇蒲运章
  • 2篇李献杰
  • 2篇曾庆明
  • 1篇乔树允
  • 1篇陈晓杰
  • 1篇王全树
  • 1篇蔡道民
  • 1篇徐安怀
  • 1篇王蓉
  • 1篇王志功
  • 1篇郭亚娜
  • 1篇赵永林
  • 1篇齐鸣

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇全国第三次光...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 1篇1986
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
平面型InGaAs/InP PIN光电探测器
蒲运章孙淑霞朱芝光
关键词：光电探测器性能分析半导体器件
基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
2007年
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.
李献杰赵永林蔡道民曾庆明蒲运章郭亚娜王志功王蓉齐鸣陈晓杰徐安怀
关键词：INGAASHBTOEIC
低暗电流的正面进光高速InGaAs/InP光电二极管
本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流...
曾庆明李献杰蒲运章乔树允王全树
关键词：INGAASINP光电探测器光电二极管
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